【应用】充电桩VIENNA采用超低损耗IGBT单管，有效提高整机效率

时间： 2018-06-06 来源：世强

技术问答

随着新能源汽车的快速发展，与之配套的充电桩也在加快进行布局。充电模块作为充电桩内部的核心转换单元，其技术的持续革新和成本的不断优化一直是业内最为关注的因素。充电模块主要由VIENNA整流电路和LLC DC-DC变换电路组成，本文来探讨一下VIENNA整流电路的拓扑结构，以及如何进行性能和成本的优化。

图1所示为VIENNA整流电路拓扑图：

图1、VIENNA整流电路拓扑图

如图1所示，在VIENNA整流的Neutral Boost电路中，竖管采用两个1200V耐压的快恢复二极管，横管采用两个背靠背的功率COOLMOS管，规格为600V/39mΩ。通常情况下，VIENNA整流电路的开关频率在25kHz左右，开关频率不高，采用COOLMOS开关管使得充电桩BOM成本较高，性价比低。

为了降低成本，提高整机的性价比，推荐采用RENESAS推出的新一代G8H系列IGBT单管，650V耐压的产品包括40A、50A和75A三款功率器件，开关频率可支持10~100kHz，超低损耗，有效提高整机效率。主要特性如下：

1、超低损耗，实现业内最低功耗水平。如图2所示的G8H系列IGBT单管相比其他产品其导通损耗和开关损耗可减小6%以上，有效降低温升，并提高整机效率。

图2、开关损耗和导通损耗

2、有效降低IGBT在开关时的噪声和振荡，实现了IGBT快速开关（提高开关频率）的同时，大大改善了栅极驱动Vge的波形振铃，抑制米勒效应的产生。如图3所示：

图3、IGBT单管在开关状态的噪声抑制

通过以上分析，瑞萨电子利用其长期的低损耗IGBT设计工艺，推出的新一代G8H单管应用在充电桩VIENNA整流电路中，开关频率最高可达100kHz，实现了快速切换性能和低饱和压降，同时降低了开关损耗与导通损耗。与COOLMOS管相比，在实现同样性能的同时，进一步降低了成本，实现了超高的性价比，为充电桩充电模块研发工程师提供了理想的降成本方案。

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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

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型号- 2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019

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型号- 92ML,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,SID1132K,CMS-R010-1.0,R5F562TAADFP,EFM32TG11B320F128GM64-A,SMBJ18CA,PS9531L3,RBN50H65T1GPQ-A0,10-FZ062TA030SM-P986D13,10-FZ062TA050SM-P987D13,PS9402,BVE-A-R002-1.0,10-ZB066PA030SB-M996F08,PS9031,INN2904,MLX91210,D25JEB80V,SI8621BD-B-IS

优选器件方案 - ISABELLENHUETTE,RENESAS,VINCOTECH,SHINDENGEN,LITTELFUSE,PI,LAIRD,ROGERS,SILICON LABS,MELEXIS - V2.0 PDF 中文下载

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型号- 92ML,RJH60F5DPQ,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,MKS4J033305D00KSSD,CMS-R010-1.0,R5F562TAADFP,SMBJ18CA,PS9531L3,PS9402,BVE-A-R002-1.0,RBN75H65T1GPQ-A0,PS9031,INN2904,D25JEB80V,SI8621BD-B-IS,10-FY07ZAB075SM-L515B08

优选器件方案 - ISABELLENHUETTE,RENESAS,VINCOTECH,SHINDENGEN,LITTELFUSE,PI,LAIRD,ROGERS,SILICON LABS,WIMA - V2.0 PDF 中文下载

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设计经验发布时间 : 2019-08-01

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品牌简介发布时间 : 2017-07-22

CN028-5 THREE-LEVEL(T-TYPE) DC/AC INVERTER

型号- RBN40H65T1FPQ,ISL8845A,RAA211250,RAA211250GNP,RBN75H65T1FPQ-A0,RAA2142504GSP#HA0,RAA214220,EL5220TIYZ,R5F566TKXXXX,ISL8844AAUZ,ISL8844AMBZ,R5F566TAXXXX,PS8352AL2-V-AX,RBN75H125S1FP4-A0,EL5220T,RAA211250GNP#HA0,RBN50H65T1FPQ,RBN40H125S1FPQ,ISL8840A,RV1S9231A,ISL8842A,RV1S9231ACCSP-10YV,ISL8844AMUZ,RBN25H125S1FPQ,RAA214250,RV1S9231ACCSP-10YC,RX66T,PS8352AL2-V-E3,ISL8844A,PS8352AL2,R5F566TEXXXX,PS8352AL2-E3,RAA211250GSP,RBN75H65T1FPQ,R5F566TEEDFM#30,RV1S9231ACCSP-10YC#SC0,ISL8844AABZ,RBN75H125S1FP4,ISL8841A,ISL8843A,EL5220TIYZ-T7,PS8352AL2-V,R5F566TFXXXX,EL5220TIYZ-T13

应用及方案 - RENESAS - V1.0 - JULY 2023 PDF 英文下载

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型号- KSU60E60,LRMAP3920,TGARD 3000,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,SI8230,LRMAP5930,1.5SMC480A,P1100,SC92,SI86XX,RBN75H65T1GPQ-A0,SI8233,C4D30120D,SI8235,KSF60F60B,INN2904,TGARD 500,LSIC2SD120E30CC,MLX91210,KSU30D60,TGARD K52-2

优选器件方案 - CREE,RENESAS,STANDEX-MEDER,LITTELFUSE,PI,KYOCERA,LAIRD,ROGERS,SILICON LABS,MELEXIS,TT ELECTRONICS - V1.1 PDF 中文下载

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目录- Power MOSFETs IGBTs Triacs/ Thyristors Operational Amplifiers/Comparators Simple DC/DC Low Power SRAM Battery Management ICs Photocouplers General Switching MOSFETs Small-Signal MOSFETs IGBT Diodes Transistors Shunt Regulators

型号- 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