【产品】低电容ESD保护器件PTD522L5M5B7，峰值脉冲功率额定值达到75W (tp =8/20μs)
普罗森美推出的双向低电容ESD保护器件PTD522L5M5B7采用SOD-523封装，具有低钳位电压和低漏电流等特性；该ESD器件采用固态硅雪崩技术，其峰值脉冲功率额定值达到75W(tp=8/20μs)；该ESD器件的反向截止电压最大值为5.0V，反向击穿电压最小值为6.0V（IT=1mA），结电容典型值为5pF（VR=0V，f=1MHz）；产品实物图和等效电路图如下。
产品特征
• 峰值脉冲功率：75W(tp=8/20μs)
• 双向配置
• 固态硅雪崩技术
• 低钳位电压
• 低漏电流
• IEC兼容性(EN61000-4)
IEC61000-4-2：±8kV接触放电，±15kV空气放电
IEC 61000-4-4(EFT)：40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(雷击)：5A（8/20μs）
机械数据
• SOD-523封装
• 模压塑料封装的阻燃等级：UL 94V-0
• 包装：卷带式
• 符合RoHS/WEEE标准
产品应用
• 基于微处理器的设备
• 个人数字助理（PDA）
• 笔记本电脑、台式机和服务器
• 便携式仪器
• 寻呼机外设
绝对最大额定值
电气特征
产品订购信息
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产品型号
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品类
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产品线
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系列
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封装
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电压[V]
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功率[W]
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容值[pF]
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封装形式（Package）
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PTN062L3M5B4
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静电抑制保护器
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ESD
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PTN
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DFN0603
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5V
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40W
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2.7pF
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DFN0603
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选型表 - 普罗森美 立即选型
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型号- PTN062L3M5B4
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