【产品】表面贴装高电压NPN型晶体管MMBTA42与MMBTA44，集电极-发射极电压分别为300V与400V

时间： 2019-07-03 来源：Diotec

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DIOTEC（德欧泰克）致力于半导体二极管和整流器的研发生产，具备成套的专项技术，拥有从晶圆和芯片的生产到组装测试和封装一整条产线。其推出的MMBTA42、MMBTA44是两款表面贴装高电压NPN型晶体管，采用SOT-23（TO-236）封装方式，主要适用于信号处理、开关、放大器等应用。

图一产品封装以及外观（引脚1：基极引脚2：发射极引脚3：集电极）

两款产品的封装以及机械参数一致，在电气参数方面有一些区别。 MMBTA42、MMBTA44的集电极-发射极电压（基极开路）VCEO分别为300V与400V，集电极-基极电压（发射极开路）VCBO分别为300V与400V。发射极-基极电压（集电极开路）VEBO为6V。MMBTA42、MMBTA44两款产品集电极电流IC分别为500mA与300mA，在VCE=10V，IC=10mA的条件下，MMBTA42的直流电流增益最小值为80，最大值为200 ；MMBTA44的直流电流增益最小值为50，最大值为200；两款产品均有良好的放大能力。此外，两款产品的功耗Ptot皆为250mW，可以满足低功耗设计要求。

图二各个参数的最大额定值

MMBTA42、MMBTA44两款晶体管的结温范围为-55℃~150℃，存储温度范围为-55℃~150°C，结至环境热阻（RthA）小于420K/W, 能够较好的满足工业环境的温度要求，。此外，这两款晶体管采用了SOT-23（TO-236）的封装模式，选用材料阻燃等级经过了UL 94V-0认证，重约0.01g，并通过了符合RoHS，REACH、WEEE和ELV认证且达到无铅标准，是一款绿色环保电子元器件。

图三电气参数

MMBTA42、MMBTA44表面贴装高压NPN型晶体管特点：

高集电极-发射极电压

符合ROHS、REACH、WEEE、ELV认证标准

MMBTA42、MMBTA44表面贴装高压NPN型晶体管应用：

信号处理

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Collector Emitter Voltage VCEO[V]

DC Collector Current Ic[mA]

Polarity pol

Junction Temperature Tjmax [℃]

Power Dissipation Ptot[W]

DC Current Gain hfe

DC Current Gain VCE[V]

DC Current Gain IC[mA]

Collector Saturation Voltage VCEsat[mA]

Collector Saturation Voltage IC[mA]

Collector Saturation Voltage IB[mA]

Gain Bandwidth Product ft[MHz]

Gain Bandwidth Product IC[mA]

Gain Bandwidth Product VCE[V]

Gain Bandwidth Product f[MHz]

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