UMS Launched New Two-stage GaN High Power Amplifer with Overall Power Supply 20V/0.5A

2021-04-02 UMS
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The CHA8352-99F is a two-stage GaN High Power Amplifer in the frequency band 10.7-12.75GHz. This HPA typically provides 20W of output power associated to 45% of Power Added Efficiency. The small signal gain exhibits more than 25dB. The overall power supply is of 20V/0. 5A (quiescent current).

This circuit is a very versatile amplifier for high performance systems.The circuit is dedicated to space applications and well suited for a wide range of microwave applications and systems. 

The part is developed on a robust 0. 15μm gate length GaN on SiC HEMT process and is available as a bare die.

Fig.1

Main  Features

■10.7-12.75 GHz frequency range

■Linear Gain is 25 dB

■43dBm Pout for +23dBm input power

■Associated PAE is more than 45% for+23dBm input power

■Associated Id is 2.2A for +23dBm input power

■DC bias: Vd=20Volts @ldq=0.5A

■Chip size 5.3x3.5x0.07mm


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产品型号
品类
RF Bandwidth (GHz)min
RF Bandwidth (GHz)max
Gain(dB)
IP3(dBm)
P-1dB OUT(dBm)
Sat. Output Power(dBm)
PAE(%)
Bias(mA)
Bias(V)
Case
CHA1008-99F
低噪声放大器
80
105
17
DC
5
DC
DC
115
2.5
Die

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产品型号
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RF Bandwidth (GHz) min
RF Bandwidth (GHz) max
Gain (dB)
IP3(dBm)
P-1dB OUT(dBm)
Sat. Output Power(dBm)
PAE(%)
Bias (mA)
Bias (V)
Case
CHA6015-99F
AMPLIFIER – HPA
2
8
18.5
-
36.5
37.5
29 @ 3dB comp
2000
7
Die

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品牌:UMS

品类:ATTENUATOR

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