【产品】-40V/-12A的P沟道增强型功率MOSFET RM12P40S8，SOP-8封装

时间： 2020-12-31 来源：丽正国际

技术问答

RM12P40S8是丽正国际推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用SOP-8封装，导通电阻低，产品损耗较小，无铅，不含卤素，适用于PWM应用，负载开关，电源管理。

图1 产品图

图2 最大额定值

在25℃时，漏源导通电阻（脉冲测试中，脉冲宽度≤300us，占空比≤2%）最大仅14mΩ@V_GS=-10V，I_D=-10A或20mΩ@V_GS=-4.5V，I_D=-8A，导通损耗较低。漏源体二极管正向压降最大仅-1.2V。

一般特性
●V_DS=-40V，I_D=-12A
●R_DS（ON）<20mΩ@V_GS=-4.5V
●R_DS（ON）<14mΩ@V_GS=-10V
●无铅产品

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