【产品】德欧泰克N沟道功率MOSFET DIJ4A5N65，规格4A/650V，开关速度快且栅极电荷低
DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DIJ4A5N65的N沟道功率MOSFET，采用ITO-220外壳封装。该器件采用先进的沟道技术工艺，具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等产品特性。最大额定参数方面，TA=25℃时，漏源电压为650V（VGS=0V，短接），持续栅源电压为±30V，器件耗散功率为46W（TC=25℃）。在VGS=10V，ID=3.5A测试条件下，漏源导通电阻典型值为1.1Ω，最大值为1.3Ω，器件工作结温和存储温度范围宽至-55℃~+150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具以及商业、工业应用等领域。器件封装图如下所示：
主要特征
采用先进的沟道技术工艺
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩额定值
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
电动工具
商业应用，工业应用
机械参数
管状/卡纸带包装：30/450
重量约 2g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1
最大额定值（TA=25℃，除非另外特殊标注）
1.详细信息请查阅官方网站或数据手册开头
2.TA=25℃，除非另有特殊说明
3.外壳背面测量
4.受封装限制
5.脉冲宽度：参考SOA图
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
|
MOSFETs
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Wire-lead
|
TO-92
|
60
|
0.2
|
150
|
N
|
0.35
|
0.5
|
0.8
|
5
|
1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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