【产品】德欧泰克N沟道功率MOSFET DIJ4A5N65,规格4A/650V,开关速度快且栅极电荷低
![N沟道功率MOSFET,DIJ4A5N65,DIOTEC](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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DIOTEC(德欧泰克)推出型号为DIJ4A5N65的N沟道功率MOSFET,采用ITO-220外壳封装。该器件采用先进的沟道技术工艺,具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等产品特性。最大额定参数方面,TA=25℃时,漏源电压为650V(VGS=0V,短接),持续栅源电压为±30V,器件耗散功率为46W(TC=25℃)。在VGS=10V,ID=3.5A测试条件下,漏源导通电阻典型值为1.1Ω,最大值为1.3Ω,器件工作结温和存储温度范围宽至-55℃~+150℃,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具以及商业、工业应用等领域。器件封装图如下所示:
主要特征
采用先进的沟道技术工艺
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩额定值
符合RoHS、REACH标准,以及Conflict Minerals(冲突矿产)的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
电动工具
商业应用,工业应用
机械参数
管状/卡纸带包装:30/450
重量约 2g
外壳材料的阻燃等级:UL 94V-0
焊接和装配条件:260℃/10s,MSL(湿度敏感等级)=1
最大额定值(TA=25℃,除非另外特殊标注)
1.详细信息请查阅官方网站或数据手册开头
2.TA=25℃,除非另有特殊说明
3.外壳背面测量
4.受封装限制
5.脉冲宽度:参考SOA图
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型: Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]:-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]:150~175、Power Dissipation Ptot [W]:0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]:-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]:-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]:0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]:-10~10、Turn-OnTime ton[ns]:3~1206、Turn-Off Time toff[ns]:7~991
产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
|
Wire-lead
|
TO-92
|
60
|
0.2
|
150
|
N
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0.35
|
0.5
|
0.8
|
5
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1
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10
|
10
|
10
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![](https://files.sekorm.com/opt/fileStore/srms/serviceManage/icon/2022/12/35b064f397c54c35e05092297b6c5941.png)
可定制ATP TE Cooler的冷却功率:40~200W;运行电压:12/24/48V(DC);控温精度:≤±0.1℃; 尺寸:冷面:20*20~500*300;热面:60*60~540*400 (长*宽;单位mm)。
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