【产品】ROHM扩充全SiC功率模块BSM300D12P2E001，支持1200V/300A、可搭载于大功率应用
全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出额定1200V/300A的全SiC功率模块"BSM300D12P2E001"。
本产品实现了300A的额定电流，因此可用于工业设备用的大容量电源等更大功率的应用中。另外，与一般的IGBT模块相比，开关损耗降低了77%，可高频驱动，因此还非常有助于周边元器件和冷却系统等的小型化。
全SiC功率模块BSM300D12P2E001实物图
自从ROHM于2012年3月世界首家开始将内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的"全SiC"功率模块投入量产以来，生产的1200V/120A、180A产品在工业设备等中的采用越来越广泛。因其优异的节能效果，支持更大电流的产品阵容倍受期待，但为了最大限度地发挥SiC产品的特点---高速开关性能，需要开发能够抑制开关时浪涌电压影响（大电流化带来的课题）的新封装。
此次，ROHM通过优化芯片配置和模块内部结构，与以往产品相比，成功地大幅降低了模块内部电感。由此，可抑制浪涌电压，从而实现了300A的更大电流。
今后，ROHM还会继续开发支持更高耐压的模块，并使用沟槽式结构的SiC元器件，开发出更大额定电流的产品，不断强化产品阵容。
全SiC功率模块BSM300D12P2E001特点：
1． 降低开关损耗，实现高频化
与同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗降低了77％。将IGBT模块替换为本产品有望大幅降低开关损耗，进一步实现冷却机构的小型化。另外，通过更高频率的开关动作，还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。通过使用SiC模块，不仅可实现更高效率，还有助于设备的小型化。
2. 降低封装内部电感，实现更大电流
随着对功率模块产品的更大额定电流的追求，开关工作时的浪涌电压也不断增大，因此，需要降低封装内部的电感。本产品通过优化内置SiC元件的配置及内部格局，开发出内部电感比以往产品降低约一半的封装。由此，成功开发出额定电流300A的产品。
全SiC功率模块BSM300D12P2E001组成：
搭载SiC-SBD和SiC-MOSFET的"全SiC"模块产品，使用与标准的IGBT模块同样外形的封装。搭载热敏电阻，保证Tjmax=175℃。
全SiC功率模块的产品阵容
| 产品名 | 绝对最大额定值(Ta=25℃) | RDS(ON) (mΩ) | 封装 | 热敏电阻 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS (V) | VGS (V) | ID(A) (Tc=60℃) | Tj (℃) | Tstg (℃) | Visol(V) (AC 1min.) | ||||
| BSM120D12P2C005 | 1200 | -6 to +22 | 120 | -40 to +150 | -40 to +125 | 2500 | 50 | C type | - |
| BSM180D12P2C101 | 1200 | -6 to +22 | 180 | -40 to +150 | -40 to +125 | 2500 | 12.8 | C type | - |
| NEW BSM300D12P2E001 | 1200 | -6 to +22 | 300 | -40 to +175 | -40 to +125 | 2500 | 7.3 | E tyle | ○ |
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