【产品】ROHM扩充全SiC功率模块BSM300D12P2E001，支持1200V/300A、可搭载于大功率应用
全球知名半导体制造商ROHM面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出额定1200V/300A的全SiC功率模块"BSM300D12P2E001"。
本产品实现了300A的额定电流，因此可用于工业设备用的大容量电源等更大功率的应用中。另外，与一般的IGBT模块相比，开关损耗降低了77%，可高频驱动，因此还非常有助于周边元器件和冷却系统等的小型化。
全SiC功率模块BSM300D12P2E001实物图
自从ROHM于2012年3月世界首家开始将内置的功率半导体元件全部由碳化硅组成的"全SiC"功率模块投入量产以来，生产的1200V/120A、180A产品在工业设备等中的采用越来越广泛。因其优异的节能效果，支持更大电流的产品阵容倍受期待，但为了最大限度地发挥SiC产品的特点---高速开关性能，需要开发能够抑制开关时浪涌电压影响（大电流化带来的课题）的新封装。
此次，ROHM通过优化芯片配置和模块内部结构，与以往产品相比，成功地大幅降低了模块内部电感。由此，可抑制浪涌电压，从而实现了300A的更大电流。
今后，ROHM还会继续开发支持更高耐压的模块，并使用沟槽式结构的SiC元器件，开发出更大额定电流的产品，不断强化产品阵容。
全SiC功率模块BSM300D12P2E001特点：
1． 降低开关损耗，实现高频化
与同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗降低了77％。将IGBT模块替换为本产品有望大幅降低开关损耗，进一步实现冷却机构的小型化。另外，通过更高频率的开关动作，还可实现线圈和电容器等周边元器件的小型化。通过使用SiC模块，不仅可实现更高效率，还有助于设备的小型化。
2. 降低封装内部电感，实现更大电流
随着对功率模块产品的更大额定电流的追求，开关工作时的浪涌电压也不断增大，因此，需要降低封装内部的电感。本产品通过优化内置SiC元件的配置及内部格局，开发出内部电感比以往产品降低约一半的封装。由此，成功开发出额定电流300A的产品。
全SiC功率模块BSM300D12P2E001组成：
搭载SiC-SBD和SiC-MOSFET的"全SiC"模块产品，使用与标准的IGBT模块同样外形的封装。搭载热敏电阻，保证Tjmax=175℃。
全SiC功率模块的产品阵容
| 产品名 | 绝对最大额定值(Ta=25℃) | RDS(ON) (mΩ) | 封装 | 热敏电阻 | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS (V) | VGS (V) | ID(A) (Tc=60℃) | Tj (℃) | Tstg (℃) | Visol(V) (AC 1min.) | ||||
| BSM120D12P2C005 | 1200 | -6 to +22 | 120 | -40 to +150 | -40 to +125 | 2500 | 50 | C type | - |
| BSM180D12P2C101 | 1200 | -6 to +22 | 180 | -40 to +150 | -40 to +125 | 2500 | 12.8 | C type | - |
| NEW BSM300D12P2E001 | 1200 | -6 to +22 | 300 | -40 to +175 | -40 to +125 | 2500 | 7.3 | E tyle | ○ |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由下线老捷达转载自ROHM，原文标题为:ROHM扩充"全SiC"功率模块产品阵容 支持1200V/300A，可搭载于大功率应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】半桥型SiC功率模块BSM300D12P3E005，可用于电机驱动、逆变器、转换器等应用
罗姆新推出的半桥型SiC功率模块BSM300D12P3E005由罗姆制造的SiC-UMOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成。该产品具有低浪涌和低开关损耗的特性以及较高的稳定性与可靠性，器件的导通时间典型值仅30ns，关断时间典型值仅210ns，具有极快的切换速度，适用于电机驱动、逆变器、转换器等应用。
【元件】爱仕特新推SiC MOSFET MT7系列，采用TO263-7L封装，导通速度更快且损耗更小
爱仕特推出新款SiC MOSFET MT7产品，采用具有驱动器源极引脚的低电感表贴封装，具有显著的性能优势，使自身SiC MOSFET产品阵容更加丰富。目前爱仕特MT7已进入量产，可应用于电动汽车、消费类电源等领域。
【产品】1200V 400A/600A全SiC功率模块，专为工业设备用大容量电源等大功率设计
ROHM面向工业设备用的电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出额定1200V 400A、600A的全SiC功率模块BSM400D12P3G002、BSM600D12P3G001。本产品通过ROHM独有的模块内部结构及散热设计优化，实现了600A额定电流，由此，在工业设备用大容量电源等更大功率产品中的应用成为可能。与普通的同等额定电流的IGBT模块相比，开关损耗降低了64%。
1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用
1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。
【元件】ROHM开发新型二合一SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”，助力xEV逆变器实现小型化
ROHM面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品。TRCDRIVE pack™的功率密度高，并采用ROHM自有的引脚排列方式，有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。
法雷奥与罗姆联合开发面向牵引逆变器的新一代功率模块TRCDRIVE pack™
法雷奥与罗姆将通过结合双方在功率电子领域的专业知识和技术优势，联合开发面向牵引逆变器的新一代功率模块。作为双方合作的第一步，罗姆将为法雷奥的新一代动力总成解决方案提供碳化硅（SiC）塑封型模块“TRCDRIVE pack™”。
瞻芯电子推出采用SOT-227封装的SiC模块产品，助力高效、大功率工业应用
近日，瞻芯电子推出了一系列采用SOT-227封装的碳化硅(SiC) MOSFET、碳化硅(SiC)二极管以及混合封装产品。采用SOT-227封装的产品具有模块体积小、热阻低、通流能力强的特点，同时，SOT-227为内绝缘封装，安装简便，也更安全。
世强硬创获索力德普授权代理，大功率IGBT模块实现10PCS+并联使用
索力德普产品广泛应用于电焊机、感应加热、光伏领域、光伏逆变器、储能变流器、大功率变流器、电机/伺服驱动器、不间断电源、高频开关应用、风电变流器、新能源汽车等领域。
罗姆在PCIM Asia上展出SiC封装模块TRCDRIVE pack™及GaN HEMT在内的丰富产品
2024年8月28-30日，全球知名半导体制造商ROHM参加在深圳国际会展中心举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会，简称PCIM Asia。罗姆在PCIM Asia上展出TRCDRIVE pack™及GaN HEMT在内的丰富产品。
ROHM（罗姆）"全SiC"功率模块选型指南（中文）
描述- SiC功率模块是节能环保的器件，与传统产品相比有多项改进，有效地利用了电源和资源，并且在维持或提高性能的同时降低了功耗。例如，集成SiC MOSFET和SiC SBD的全SiC功率模块中的开关损耗显著低于额定值等效的硅基IGBT模块。此外，与传统模块不同，这些新型SiC产品支持100kHz以上的高频操作，提高了感应加热用的高频电源和混合动力存储系统等工业设备的效率。
型号- BSM300C12P3E201,BSM300C12P3E301,BSM180C12P2E202,BSM400D12P3G002,BSM300D12P2E001,BSM600D12P3G001,BSM080D12P2C008,BSM180D12P3C007,BSM180C12P3C202,BSM400C12P3G202,BSM300D12P4G101,BSM120C12P2C201,BSM120D12P2C005,BSM450D12P4G102,BSM180D12P2E002,BSM600C12P3G201,BSM180D12P2C101,BSM400D12P2G003,BSM600D12P4G103,BSM300D12P3E005,BSM250D17P2E004
SiC 功率器件・模块 应用笔记
型号- P02SCT3040KR-EVK-001,P03SCT3040KW7-EVK-001,SCT3XXXXXW7 SERIES,SCS210AGHR,SCT3XXXXXXXX SERIES,BSMGD3C12D24-EVK001,BM61M41RFV,SCT200KEHR,BM61S40RFV,BM61XXXXX,BSM120D12P2C005,BM61S41RFV,SCT2XXX SERIES,P01SCT2080KE-EVK-001,BSM SERIES,BSMGD2G17D24-EVK001,BSMGD2G12D24-EVK001,P03SCT3030AW7-EVK-001,S6201,S4101,BSMGD3G12D24-EVK001
罗姆携碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体亮相2024 PCIM Asia，并分享最新功率电子技术成果
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（展位号：11号馆D14）。展会上，罗姆聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。
罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型
日前，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上，有助于延长车辆续航距离以及提高性能。
SiC功率元器件基础
型号- SCT2[XXX[]系列,SCT2[XXX[],SCS310AP,LC78P801D127K-AA,SCH2XXX]系列,SCH2XXX],FHACD1C2V125JTLJZ0,SCS210AG,EVSM1D72J2-145MH14,EVSM1D72J2-145MH16,BSM300D12P2E001
罗姆将亮相2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会，展示面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案
罗姆将聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，在2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会上展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。
电子商城
现货市场
服务
提供蓝牙BLE芯片协议、蓝牙模块、蓝牙成品测试认证服务；测试内容分Host主机层，Controller控制器层，Profile应用层测试。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制无线位移传感器量程范围10~600mm，采用了无线传输方式，可远程自动实时检（监）测位移量值，准确度级别(级)：0.2、0.5;内置模块：无线传输模块、供电模块;传输距离L(m)：可视距离1000 (Zigbee、 LORA)。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论