【产品】反激式电源控制芯片RM6601ND，采用专有驱动技术，工作频率达130kHz

时间： 2022-10-14 来源：亚成微电子官网

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亚成微电子推出反激式电源控制芯片 RM6601ND，采用专有驱动技术，可直驱E-mode GaN FET，支持CCM/QR混合模式，支持最大130kHz工作频率，具有高效率、大功率、超低待机功耗和优异的性能，适用于大功率GaN快充。

高效率、大功率

■支持CCM/QR混合模式；

■支持最大130kHz工作频率；

■RM6601ND采用专有驱动技术，可直驱E-mode GaN FET

超低待机功耗

内置700V高压启动；

集成X-CAP放电功能；

低启动电流（2μA），低工作电流；

待机功耗<65mW。

优异的性能

内置特有抖频技术改善EMI

Burst Mode去噪音

集成斜坡补偿及高低压功率补偿功能

集成AC输入Brown out/in功能

外置OVP保护，具有输出肖特基短路保护/CS短路保护

内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护

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