【经验】R CAR E3启动调试阶段测试DDR的方法和注意点
在R CAR E3上测试DDR的时候,在系统启动调试阶段,往往通过minimon的命令DDRCK,ramck来测试,那在MINIMON中这个测试地址空间是多少呢,如何测试,以及需要注意哪些地方呢,本文实操测试命令,以及指出需要注意的地方。
根据自己的板子修改minimon编译后烧录,我们可以通过如下命令测试:
直接运行DDRCK命令测试通过,通常DDR应该没什么大问题了,启动系统不成问题。
如果运行DDRCK命令失败:
我们可以通过ramck命令来测试,比如ramck 410000000 @5000000,意思是从地址内存0x410000000地址开始读写测试0x5000000空间共80MB:
一次测试80MB,需要稍微等几十秒时间,返回ok。
我们这里板子上的DDR容量为512MB空间,地址空间为0x400000000 - 0x420000000 如果测试如下命令:ramck 420000000 @5000000,出现如下现象,无返回,这是因为测试的地址超出了板载DDR地址空间:
在调试过程中出现一个如下现象,其实板子的DDR没有正常复位,但是采用ramck 410000000 @a000是成功的,而ramck 410000000 @b000以上空间就NG,而且用示波器测试DDR的数据,时钟等信号都小于200mv,差不多是100mV的信号电平,最终查出来由于DDR3L的复位信号是由BD9574控制的:
MBKPRST_N信号从BD9574接入RCAR E3
最后MRESET_N复位DDR3L。
对比DEMO板子或者这个信号的电平电气要求,复位后电平为高,而测量我们自己的板子电平都为低,所以通过调试,把BD9574端的R1562,TR46去掉,然后连接R1607,R1608,R1609,从R1607输出复位控制信号,就能测量到复位后电平为高了,此时再用DDRCK,以及ramck命令就都可以测试DDR OK了。
总结这个情况是,ddr3l没有复位,用ramck来测试读写几十K空间,居然是通过的,其实是假象,实际应该没有成功读写内存;另外此时通过flashwriter来烧写EMMC居然也没有报错,提示成功,其实也是假的,其实没有成功烧录;最为关键的就是要把DDR的check都调通后再来烧emmc才能成功,否则从emmc启动,可能报如下错误:
以上就是关于R CAR E3上面DDR测试的重要性,只有把DDR的check都通过了,我们才能走下一步的EMMC烧录以及系统启动,根据以上方面,相信在启动调试阶段可以帮助工程师们提供了方向和思路。
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LX Semicon电机驱动器&MCU选型表
LX Semicon电机驱动器&MCU选型表包含32位通用MCU、2ch H-桥电机驱动器、三相电机驱动器三个品类,主要包含以下参数,Operating Temperature(℃):-40℃ ~ 85℃;Power (V):3.9 to 5.5V、2.7 to 5.5V、Max.20V、Max.28V;competitor:Toshiba、Renesas、TI。
产品型号
|
品类
|
封装/外壳/尺寸
|
Power (V)
|
Grade certification standard
|
competitor
|
External High Speed OSC(MHz)
|
External Low Speed OSC(KHz)
|
Operating Temperature(℃)
|
Maximum Frequency(MHz)
|
SRAM(Kbyte)
|
SW31100
|
32位通用MCU
|
LQFP 64
(10*10, 0.5pitch)
|
3.9 to 5.5V
|
IEC 60730 supported
|
Toshiba
|
10MHz
|
32.768kHz
|
-40℃ ~ 85℃
|
35MHZ
|
12 Kbyte
|
选型表 - LX Semicon 立即选型
RENESAS RH850车规32位 MCU选型表
RENESAS RH850车规32位 MCU,闪存容量:256KB~16MB,RAM:32KB~3.6MB,数据闪存:32KB~576MB。
产品型号
|
品类
|
闪存容量(KB、MB)
|
RAM(KB、MB)
|
数据闪存(KB)
|
内核
|
I/O端口数
|
CSI/UART/LIN
|
CAN/CAN-FD
|
I²C
|
其他接口
|
定时器通道(8/16/32位)
|
PWM输出
|
时钟频率(MHz)
|
内部振荡器
|
A/D转换器或D/A转换器
|
电源电压(I/O)(V)
|
引脚数
|
封装
|
最高工作温度(°C)
|
Application category
|
温度/质量等级
|
连接材料
|
R7F7010023AFD#BA4
|
车规32bit MCU
|
512K
|
64K
|
32K
|
单RH850核(最大96MHz)
|
81
|
5/4/7
|
6/-
|
1
|
-
|
-/32/9
|
48
|
80
|
240KHz,8MHz
|
36x10位&12位/-
|
3.0-5.5
|
100
|
100LQFP
|
105,125
|
Automotive
|
-40℃~105℃
|
无: 金线bonding
|
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