【产品】专为高压、高速电源电感开关应用而设的DPAK封装表面贴装硅NPN功率晶体管CJD13003
Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出的硅NPN功率晶体管——CJD13003，是一款采用表面贴装封装的功率晶体管，采用DPAK封装，专为高压，高速电源电感开关应用而设计。其产品实物图如图1所示。
图1.CJD13003 产品实物图
CJD13003 硅NPN晶体管的集电极-发射极电压VCEV为700V，集电极-发射极电压VCEO为400V，发射极-基极电压VEBO为9.0V。另外，其工作和存储结温的范围为-65 °C~+150 °C，结壳热阻ΘJA为80.1°C/W，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在各个电路设计中的可靠性。同时，该器件具有低反向漏电流，ICEV的最大值为100 μA（VCE=700V, VBE(off)=1.5V）。其封装轮廓和引脚定义如图2所示。
图2.产品封装轮廓和引脚定义图
另外，该产品的特征频率最小值fT为4.0MHz（VCE=10V, IC=100mA, f=1.0MHz），当IC=500mA, IB=100mA时，集电极-发射极间饱和压降VCE(SAT)最大值为0.5V。极间电容Cob典型值为20pF（VCB=10V, IE=0, f=0.1MHz）。产品具有很好的频率特性，充放电时间短，开关损耗低。主要应用于高压，高速电源电感开关等领域。
CJD13003 硅NPN晶体管的主要特点：
• 集电极-发射极电压VCEV为700V
• 集电极-发射极电压VCEO为400V
• 发射极-基极电压VEBO为9.0V
• 其耗散功率PD为1.56W（TA=25℃）
• 集电极连续电流IC为1.5A
• 工作及存储结温范围为-65°C~+150°C
• 结壳热阻ΘJA为80.1°C/W
• 采用DPAK封装
CJD13003 硅NPN晶体管的典型应用：
• 高压，高速电源电感开关
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