【产品】光MOS输出型光耦合器HSSR-41A05,绝缘耐压5000 Vrms for 1 min
华联电子旗下产品HSSR-41A05-×由砷化铝镓红外发光二极管作为输入级耦合到高电压输出光探测电路。光探测电路由高速光电二极管阵列和驱动电路构成,用以开启/关断两个独立的高压金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。一个最小 5mA 的电流流经输入级红外发光二级管可确保继电器动作。当加在输入级红外发光二级管的正向压降为 0.8V 或更小值时,继电器可确保复位。
图1 HSSR-41A05-×封装示意图
HSSR-41A05-×光MOS输出型光耦合器的产品特性:
● 单通道常开型单刀单掷继电器
● 60V 输出耐压产品
● 500mA 额定电流产品
● 低输入电流,CMOS 兼容
● 0.5Ω低通态电阻
● 非常高的断开阻抗:典型值 10 兆欧
● 非常快的开关速度:典型值 0.5ms (Ton), 0.3ms (Toff )
● 高输入输出绝缘耐压:5000 Vrms for 1 min
HSSR-41A05-×光MOS输出型光耦合器的应用领域:
● 电信切换
● 数据通讯
● 电池管理
● 工业控制
● 医疗设备
● EMR/机械继电器替代
该产品电原理图如下图所示:
图2 HSSR-41A05-×电原理图
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提供华联电子MOS继电器、高压光MOS固态继电器、低阻容MOS继电器选型,负载电压:60V~1500V,连续通态电流:0.02A~2A,导通电阻:0.1Ω~100Ω。
产品型号
|
品类
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封装形式
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负载电压(V)
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连续通态电流(A)
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导通电阻(Ω)
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通道数
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工作温度(℃)
|
介质耐压(VRMS)
|
安规认证
|
HSSR-DA01
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MOS继电器
|
DIP8/SMD8(9.6x6.4x3.6)
|
400V
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0.1A
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25Ω
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2NO*
|
﹣40~85℃
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5000Vrms
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VDE、UL、CQC
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选型表 - 华联电子 立即选型
厦门华联电子股份有限公司光耦合器产品简介
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址: 深圳/苏州 提交需求>
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