【产品】采用沟槽DMOS技术的SOP8封装的P沟道MOSFET AM4435A，最大限度降低导通电阻

时间： 2019-07-04 来源：AiT

技术问答

AIT推出的AM4435A是P沟道增强型功率MOSFET，采用沟槽DMOS技术。这种先进技术专门用于最大限度地降低导通电阻，提供卓越的快速开关性能，并且可以在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。该器件适合用于负载开关或PWM应用当中。AM4435A正常工作结温TJ为−55°C ~150°C，其他极限参数如表1所示。

表1 AM4435A极限参数（未说明温度时，TA = 25°C）

AM4435A采用SOP8封装，其引脚分布如图1所示。

图1 AM4435A引脚分布

AM4435A产品特性

• VDS = -30V, ID = -10.6A

VGS = -10V时，RDS(ON) =14mΩ(典型值)

VGS = -4.5V时，RDS(ON) =18mΩ(典型值)

•高开关频率

•高功率和优秀的电流处理能力

•采用SOP8封装

AM4435A应用领域

•负载开关

•LED应用

•DC-DC电源管理

AM4435A订购信息

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全部评论（1）

HZYY Lv5. 技术专家 2019-11-27

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