【产品】TO-3封装互补硅达林顿功率晶体管,具有NPN型和PNP型

2018-12-08 CENTRAL
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著名的半导体公司Central Semiconductor(美国中央半导体公司)制造的2N6282/2N6283/2N6284(NPN型)和2N6285/2N6286/2N6287(PNP型)系列晶体管是互补硅单片达林顿晶体管,采用外延基极工艺制造,专为通用大电流,高增益放大器和开关应用而设计。晶体管采用了TO-3封装形式,该封装形式散热性能较好,此外该晶体管还有着较宽的工作温度范围为-65℃至200℃,提高了晶体管的对环境的承受能力。


图一:产品外观图

 

该系列互补硅单片达林顿晶体管当集电极电流IC=100mA, (2N6282, 2N6285)时,击穿电压BVCEO为60V,当集电极电流IC=100mA, (2N6283, 2N6286) 时,击穿电压BVCEO为80V,当集电极电流IC=100mA, (2N6284, 2N6287) 时,击穿电压BVCEO为100V,当集电极电流IC=10A,基极电流IB=40mA时,集电极-发射极饱和电压VCE(SAT)为2.0V,当集电极电流IC=20A,IB=200mA时,集电极-发射极饱和电压VCE(SAT)为3.0V,当集电极电流IC=20A,基极电流IB=200mA时,当集电极-发射极电压VCE=3.0V,集电极电流 IC=10A时,导通电压VBE(ON)为2.8V,由此可见,该晶体管具有较好的放大作用,而且可以提供大电流,当VCE=3.0V,,IC=10A时,hFE 放大系数为750至18K,当VCE=3.0V,IC=20A时,hFE为100,因此该晶体管有着较高的增益,适合需要高增益的应用中使用。当集电极-发射极电压VCE=3.0V, 持续集电极电流IC=10A, f=1.0MHz 时,fT为4.0MHz。


图二:尺寸及管脚定义图


该系列晶体管最大持续集电极电流为20A,持续基极电流为0.5A,最大发射极-基极电压为5V,不同型号最大集电极-基极电压和集电极-发射极电压不同,用户可以根据表一自行选择,热阻较低为1.09℃/W,减小了发热。


表一:最大额定值表

参数名称

符号

2N6282/2N6285

2N6283/2N6286

2N6284/2N6287

单位

集电极-基极电压

VCBO

60

80

100

V

集电极-发射极电压

VCEO

60

80

100

V

发射极-基极电压

VEBO

5.0

V

持续集电极电流

IC

20

A

峰值集电极电流

ICM

40

A

持续基极电流

IB

0.5

A

功耗

PD

160

W

操作和存储结温

TJ,,Tstg

-65+200

热阻

ΘJC

1.09

℃/W


特征

· 封装:TO-3

· 具有高增益

· 通用大电流特性

· 工作温度范围:-65至+200℃

 

应用

· 通用大电流,高增益放大器和开关应用中使用


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