【产品】TO-3封装互补硅达林顿功率晶体管，具有NPN型和PNP型
著名的半导体公司Central Semiconductor（美国中央半导体公司）制造的2N6282/2N6283/2N6284（NPN型）和2N6285/2N6286/2N6287（PNP型）系列晶体管是互补硅单片达林顿晶体管，采用外延基极工艺制造，专为通用大电流，高增益放大器和开关应用而设计。晶体管采用了TO-3封装形式，该封装形式散热性能较好，此外该晶体管还有着较宽的工作温度范围为-65℃至200℃，提高了晶体管的对环境的承受能力。
图一：产品外观图
该系列互补硅单片达林顿晶体管当集电极电流IC=100mA, (2N6282, 2N6285)时，击穿电压BVCEO为60V，当集电极电流IC=100mA, (2N6283, 2N6286) 时，击穿电压BVCEO为80V，当集电极电流IC=100mA, (2N6284, 2N6287) 时，击穿电压BVCEO为100V，当集电极电流IC=10A，基极电流IB=40mA时，集电极-发射极饱和电压VCE(SAT)为2.0V，当集电极电流IC=20A，IB=200mA时，集电极-发射极饱和电压VCE(SAT)为3.0V，当集电极电流IC=20A，基极电流IB=200mA时，当集电极-发射极电压VCE=3.0V，集电极电流 IC=10A时，导通电压VBE(ON)为2.8V，由此可见，该晶体管具有较好的放大作用，而且可以提供大电流，当VCE=3.0V,，IC=10A时，hFE 放大系数为750至18K，当VCE=3.0V，IC=20A时，hFE为100，因此该晶体管有着较高的增益，适合需要高增益的应用中使用。当集电极-发射极电压VCE=3.0V, 持续集电极电流IC=10A, f=1.0MHz 时，fT为4.0MHz。
图二：尺寸及管脚定义图
该系列晶体管最大持续集电极电流为20A，持续基极电流为0.5A，最大发射极-基极电压为5V，不同型号最大集电极-基极电压和集电极-发射极电压不同，用户可以根据表一自行选择，热阻较低为1.09℃/W，减小了发热。
表一：最大额定值表
参数名称 | 符号 | 2N6282/2N6285 | 2N6283/2N6286 | 2N6284/2N6287 | 单位 |
集电极-基极电压 | VCBO | 60 | 80 | 100 | V |
集电极-发射极电压 | VCEO | 60 | 80 | 100 | V |
发射极-基极电压 | VEBO | 5.0 | V | ||
持续集电极电流 | IC | 20 | A | ||
峰值集电极电流 | ICM | 40 | A | ||
持续基极电流 | IB | 0.5 | A | ||
功耗 | PD | 160 | W | ||
操作和存储结温 | TJ,，Tstg | -65至+200 | ℃ | ||
热阻 | ΘJC | 1.09 | ℃/W | ||
特征
· 封装：TO-3
· 具有高增益
· 通用大电流特性
· 工作温度范围：-65至+200℃
应用
· 通用大电流，高增益放大器和开关应用中使用
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