【产品】新电元EETMOS三个代表封装介绍:LF PACK,FP PACK,LD PACK
新电元从2007年开始逐步推出低压高效沟道栅MOS(全称Extremely Efficient Trench gate MOS;简称EETMOS),其Roadmap参考如下图1所示,其产品变化主要围绕着尺寸小型化、导通电阻Ron越来越小来发展,EETMOS® 系列提供世界一流的性能,应用trench-gate 结构优化布局,降低了Qg、Ron等,同时100%使用di / dt 雪崩测试筛选产品。
图1:新电元EETMOS® 系列Roadmap示意图
科技的进步推动着产品的发展,新电元的EETMOS的发展逐步向小型化、薄型化、大电流化发展,而其代表封装为
FP PACK、LD PACK、LF PACK,下面逐一介绍三种封装:
一、FP PACK MOSFET(TO-263Adv)
FP PACK是针对TO-263封装做设计改良,其实物图、封装及尺寸参考如下图2所示,通过图示易知,FP PACK对比TO-263封装,面积减小约12%(11.2mm*16.15mm→11.2mm*14.3mm),尽管设计尺寸减少,不过其性能反而提高,可内置200A大电流chip。
图2:新电元FP PACK MOSFET实物图及封装尺寸图
下面提供下FP PACK MOSFET(TO-263Adv)可支持的采购型号,具体参考如下表1所示,电压规格40V~120V,电流最大可达180A,导通电阻最低可至0.98mΩ,总栅极电荷Qg相对高些250nC~900nC。
表1:FP PACK MOSFET(TO-263Adv)可支持的采购型号
LF PACK是针对TO-252封装做设计改良,其实物图、封装及尺寸参考如下图3所示,与TO-252 PKG对比,里面放置导热板沟槽,更容易散热,同时尺寸更加小型化、更薄型,Cu Clip可输出大电流、且导通电子Ron低,可与5mm*6mm 的SOP8和HSON封装直接替代。其电压规格40V~100V,电流最大可达140A,导通电阻可以做到0.8mΩ~0.9mΩ。
图3:新电元LF PACK MOSFET实物图及封装尺寸图
三、LD PACK MOSFET(HSON-8pin)
LD PACK和LF PACK封装尺寸是一致的,均是5mm*6mm,不过两者是有区别的,最直观体现在管脚pin针引出的方式上,LD PACK的实物图、封装及尺寸参考如下图4所示。
图4:新电元LD PACK MOSFET实物图及封装尺寸图
下面提供下LD PACK MOSFET(HSON-8pin)可支持的采购型号,具体参考如下表2所示,电压规格40V~100V,电流规格10A~32A,导通电阻最低可至3mΩ,总栅极电荷Qg相对低些38nC~58nC。
表2:LD PACK MOSFET(HSON-8pin)可支持的采购型号
通过上面的介绍,相信大家对新电元的新产品MOSFET封装、器件参数有一定的认知了,其实LF PACK是新电元的主打封装,具有低压、大电流、低导通损耗、低开启总栅极电荷等优点,这里没有提供具体的选型参数表,如果您感兴趣记得收藏和点赞哦,感谢!有问题请留言或电话联系世强400-887-3266。
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Four MOSFET Have Been Introduced to Help Reduce Size and Power Consumption in A Variety of Mobile Applications
Shindengen Electric Manufacturing Co., Ltd. has started mass production of four new models for its EETMOS4 Series lineup of Power MOSFET. This series uses a new structure chip and Cu clip to realize low loss and large current capacity in a 5×6 mm size compact package, greatly contributing to reduced size and lower power consumption for longer operation times in various motor drive circuits, power supply circuits, relay related and other applications in battery driven devices .
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