【产品】诺思Band2 FBAR双工器RSFD1881C，湿敏等级MSL3，插入损耗典型值低至1.6dB

时间： 2022-05-18 来源：诺思

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诺思（ROFS）作为国内领先的射频器件供应商，以多年积淀的MEMS工艺和专业射频前端滤波器设计技术，持续为通讯行业客户提供射频前端解决方案。诺思利用FBAR滤波技术能够解决业界最具挑战性的LTE系统问题。诺思推出了采用全新升级工艺FBAR技术、新一代Band2 FBAR双工器 RSFD1881C。

产品描述：

诺思推出一款高性能双工器RSFD1881C，用于LTE Band2 (1850~1910 MHz TX, 1930~1990 MHz RX )的应用。RSFD1881C采用ROFS的薄膜体声波谐振器(FBAR)技术设计，可提供高Q值滤波器，满足低插入损耗、高回波损耗以降低Tx端口损耗、高带外衰减和带间隔离的要求。RSFD1881C采用CSP封装技术将滤波器组装成一个模压片上模块，尺寸为1.8mmx1.4mm，高度为0.61mm。

产品特性：

超小尺寸

1.8mmx1.4mmx0.61mm

Band2低插入损耗

Tx 1.6dB Typ.
Rx 2.7dB Typ.

Tx-Rx隔离度

Tx 通带 52 dB Typ
Rx 通带 59 dB Typ.

Tx输入功率

ESD防护能力：TBD
湿敏等级：MSL3
储存温度：-40℃~+85℃
完全符合RoHS要求
无铅(Pb free)

电气特性：

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