瞻芯电子已完成数亿元B轮融资,具备IDM自主研发和工艺量产能力,为国产碳化硅(SiC)持续加码

2023-03-09 瞻芯电子公众号
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近日,上海瞻芯电子科技有限公司(简称“瞻芯电子”)完成数亿元B轮融资,本轮融资由国方创新领投,国中资本、临港新片区基金、金石投资、钟鼎资本、长石资本等众多机构跟投,老股东临芯投资、光速中国、广发信德持续追加。

投资人观点

国方创新管理合伙人孙忞先生表示:碳中和时代背景下,新能源车和光伏、储能等新兴行业快速发展、产品技术持续升级,同时因碳化硅功率器件的性能提升和成本下降,碳化硅器件在新一代电力电子系统中的应用正在加速渗透,故其市场需求爆发式增长。在应用为导向的功率半导体领域,拥有SiC MOSFET自主设计、工艺、制造平台和产品快速迭代能力的IDM企业尤其值得关注。


瞻芯经过近六年积累,碳化硅MOSFET碳化硅SBD碳化硅驱动IC三大产品均已完成车规级认证,获得多家下游行业龙头认可和大规模应用,2022年自主建设的SiC晶圆厂已建成投产,已成为国内极少数具备SiC MOSFET IDM能力的功率半导体整体解决方案商。国方创新专注于科技创新和产业升级领域投资布局,坚定看好瞻芯电子发展为国内乃至全球功率半导体龙头,携手瞻芯电子,与科技共舞,与时代共进!


国中资本执行总经理李程晟先生表示:近几年随着新能源汽车和光储行业的快速发展,SiC的下游应用得到较大提升,但整体占功率半导体市场不到5%。未来随着人类对能源使用量的不断提升以及对节能减排要求的提高,新型功率器件有望得到更广泛的应用。瞻芯电子作为国内较早采用IDM模式的公司,兼具SiC芯片设计和制造能力,并在配套驱动IC方面亦有较强的技术积累。因此瞻芯电子在下游整车厂和光储厂商占据较高的市场份额。我们看好瞻芯电子未来对海外SiC厂商高端产品实现全面的替代,助力国家新能源行业的发展。


临港新片区基金执行董事桑维英女士表示:集成电路和智能汽车作为临港新片区重点支持的前沿产业集群,瞻芯电子身处两大黄金赛道,作为扎根临港新片区成长壮大的企业,新片区基金希望以股权投资为纽带,后续在政策引导、资源对接和服务支持等方面给予持续赋能,陪伴和分享企业的成长。


金石投资首席投资官、董事总经理李振明先生表示:目前国内碳化硅器件市场被海外国际大厂垄断,国内替代需求广阔,该领域投资有助于保障面向国家重大需求的战略性行业的产业安全,对我国工业发展具有重大战略意义。瞻芯电子是国内碳化硅MOSFET器件领域技术实力最强,并且少见的具备自建产线和量产能力的行业头部公司之一。公司的自有产线能够将设计与制造工艺更紧密结合,提升产品性能及可靠性,同时稳定的供货能力也为公司锁定更多主机厂的量产订单提供了有力保障。金石新材料基金相信瞻芯团队将不懈努力为碳化硅功率器件的国产化应用贡献力量。


钟鼎资本合伙人尹军平先生表示:伴随着中国新能源和电动汽车的快速崛起,我们坚定看好中国优势产业链的势能,看好碳化硅应用的广阔前景。瞻芯电子是国内少有具备IDM自主研发和工艺量产能力的公司,我们对瞻芯的未来满怀期待,充满信心。


长石资本合伙人游然女士表示:随着SiC在新能源汽车、光伏储能等领域应用渗透加速,下游客户对产品质量、稳定性及成本会愈发重视,瞻芯电子前瞻性走出了SiC IDM路线,未来在行业竞争中的优势将越发凸显,我们长期看好SiC行业的未来发展,坚定看好瞻芯团队在SiC领域的经验与积累,以及在IDM路线上的布局和决心,相信瞻芯电子将稳步成长为中国最好的第三代半导体企业之一。


关于瞻芯电子

上海瞻芯电子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅半导体SiC半导体)领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港。公司致力于开发SiC功率器件SiC驱动SiC控制芯片SiC功率模块产品,并围绕SiC应用,为客户提供一站式(Turn-key)芯片解决方案。


瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司,并建成了一座车规级SiC晶圆厂,标志着瞻芯电子顺利实现由Fabless迈向IDM的战略转型,进入中国领先SiC功率半导体公司行列。


瞻芯电子将持续创新,放眼世界,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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

选型指南  -  SLKOR  - 2022/10/9 PDF 中文 下载

瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南

描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司,2017 年成立于上海临港,致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,围绕 SiC 应用,为客户提供一站式芯片解决方案。

型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1

选型指南  -  瞻芯电子  - March 2024 PDF 中文 下载

扬杰科技(YANGJIE)碳化硅产品选型指南

描述- 公司产品线含盖单晶硅棒、硅片、外延片、分立器件芯片、MOSFET、IGBT&功率模块、SiC、整流器件、保护器件、小信号等,为客户提供一揽子产品解决方案。

型号- YJD2065100NCTGHQ,YJD106520BQG2,YJD212060B7GH,YJD206560B7GH,YJD212060NCTGH,YJD106520FQG2Q,YJD2065200BGH,MB480U065F2,YJD212040T2GH,YJD112020NCTQG2,YJD2120160NCFG1Q,YJD106508PQG2,YJD2120120NCTGHQ,YJD112002DG1,YJD2120120BGH,YJD217045NCFGH,MB60DU12ST,MB80DU12ST,YJD212080NCFG1,YJD206560NCTGH,YJD2120120NCTGH,YJD2120240NCFGH,YJD2120120NCFGHQ,YJD21701K0B7GH,YJD106520DQG2Q,YJD212030NCFGHQ,YJD106506BQG2,YJD212060T2GH,YJD106520PQG2,YJD212040NCTG2,YJD112020BXGG2,YJD212040NCTG1,YJD106502DQG3,MB60DU12STN,YJD21701K0NCTGH,YJD106504PG1,YJD112015PGG2,YJD212040T2GHQ,YJD212030NCTGH,YJD106520NCTQG2,YJD212030T2GH,YJD106540NCTQG2,YJD106510BQG2,YJD106510PQG2Q,YJD112010BQG2,YJD206525NCTGHQ,YJD106502PQG3,YJD106508BQG2,YJD2120240NCTGHQ,YJD212040NCTGH,YJD106510PQG2,MC16UZ12STN,YJD112040NGG2,YJD206550NCFGHQ,YJD106504DG1,YJD212040NCTGHQ,YJD212080NCTGHQ,YJD206560NCFGHQ,YJD106520DQG2,YJD106550BQG3,YJD212080NCFG1Q,YJD112040NCTG1,YJD2120120B7GH,YJD2120160NCFG1,YJD112005PG1,YJD112030NGG2,YJD2065200NCFGH,YJD112030NGG3,YJD2065100NCTGH,YJD112015NG1,YJD212030T2GHQ,YJD106520NCTQG2Q,YJD2120240BGHQ,YJD212080NCFGH,YJD212040NCFGHQ,YJD206520NCTGH,YJD206550NCFGH,YJD2065100B7GHQ,YJD206525NCFGH,YJD206530NCTG1,YJD2120240B7GHQ,YJD212080NCFGHQ,YJD112002PG1,YJD112005DG1,YJD2120240NCTGH,YJD2065100NCFGHQ,YJD206550B7GH,YJD2120120B7GHQ,YJD206560NCTGHQ,YJD206530NCTG1Q,YJD2065200B7GH,YJD112020BGG2,MB120DU12FJ,YJD206525T2GHQ,YJD112015NGG2,YJD106506PQG2,YJD206520NCTGHQ,YJD112030NCTG1,YJD206560NCFG1,YJD112010DQG2,YJD106508DQG2,YJD206530NCFG1Q,YJD212040NCTG1Q,YJD206560NCFG1Q,YJD206560NCFGH,YJD217045NCTGH,YJD112010NQG2,YJD212080NCTG1Q,YJD2120240B7GH,YJD106520PQG2Q,YJD212040NCFG2Q,MB120DU12ST,YJD2120120BGHQ,YJD106520FQG2,YJD2065100B7GH,YJD212080B7G1Q,YJD212060NCFGH,YJD2120240NCFGHQ,YJD212080T2GHQ,YJD212060B7GHQ,YJD112030NCTGG2,YJD112040NCTGG2,YJD112040NCTGG1,YJD212040NCFG2,YJD21701K0NCFGH,YJD106520NQG2Q,YJD212040NCFG1Q,YJD2120120NCFGH,YJD206560B7GHQ,YJD212030NCFGH,YJD106510FQG2,YJD112010FQG2,MB60DU12FJ,YJD206520NCFGHQ,YJD206525T2GH,YJD206550NCTGHQ,MB80DU12FJ,YJD206560NCTG1Q,YJD106506FQG2,MB200DU12FJ,YJD212040NCFG1,YJD112040NQG2,YJD212060T2GHQ,YJD106520BQG2Q,YJD2120240BGH,YJD206550B7GHQ,YJD112010PQG2,YJD212060NCTGHQ,MB480U12F2,YJD2120160NCTG1Q,YJD106510DQG2Q,YJD212080B7GH,YJD212080B7GHQ,YJD212030NCTGHQ,YJD206525NCTGH,YJD112030NG1,YJD106510FQG2Q,YJD212040NCFGH,YJD212080B7G1,YJD2065100NCFGH,YJD112030NQG2,MB200DU12ST,YJD2065200NCTGH,YJD2120160NCTG1,MB180DU065FJ,YJD106508FQG2,YJD212080T2GH,YJD21701K0BGH,YJD106510BQG2Q,YJD212040NCTG2Q,YJD212060NCFGHQ,MB180DU12FJ,YJD212080NCTG1,YJD112005FG1,YJD206525NCFGHQ,YJD112010BXQG2,YJD106520NQG2,YJD212080NCTGH,YJD206550NCTGH,YJD206560NCTG1,YJD106550NQG3,YJD206520NCFGH,YJD206530NCFG1,YJD106506DQG2,YJD112020NGG2,YJD106510DQG2

选型指南  -  扬杰科技  - 第一版  - 2023年09月 PDF 中文 下载

瑞之辰:光伏巨头入局碳化硅(SiC)促进产业整合

在当今科技产业的舞台上,碳化硅(SiC)产业呈现出一片蓬勃发展的喜人态势,吸引了众多车企、LED厂商等跨界玩家入局。而部分光伏巨头的加入,让这场没有硝烟的战局愈加激烈。作为主营碳化硅(SiC)功率器件的高科技公司,瑞之辰解读:光伏企业与SiC厂商合作,共同开发原材料和设备,产业整合将成为发展趋势。 光伏与碳化硅(SiC)产业“此消彼长”通威集团、合盛硅业、高测股份、捷佳伟创、迈为股份等主流光伏厂商

行业资讯    发布时间 : 2024-09-05

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

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【IC】爱仕特新款高可靠汽车级碳化硅功率模块DCS12,封装一次铸造成型,为高速发展的新能源汽车注入动力

深圳爱仕特科技有限公司推出新款汽车级碳化硅功率模块DCS12,旨在缩小半导体器件使用尺寸的同时,提高逆变器功率密度、可靠性、耐用性以及寿命周期,给高速发展的新能源汽车注入动力。

新产品    发布时间 : 2023-06-22

【元件】展会直击 | 2.5nH超低电感,爱仕特全新LPD碳化硅模块惊艳亮相PCIM

2024年8月28日,亚洲电力电子行业盛典——PCIM Asia 2024在深圳国际会展中心如期召开,爱仕特在展会现场发布新一代超低电感LPD系列碳化硅功率模块。该模块采用创新封装和三相全桥设计,内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻,杂散电感低至2.5nH,工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V,工作频率可达30kHz,输出功率可达300kW。

产品    发布时间 : 2024-08-29

世强硬创获蓉矽授权,代理车规级碳化硅MOSFET/EJBS/二极管等产品

蓉矽SiC MOSFET系列是采用第三代宽禁带半导体碳化硅制造的一种高耐压、低电阻、高频应用的MOSFET,分有高性价比的NovuSiC®和高可靠性的DuraSiC®系列。

签约新闻    发布时间 : 2023-09-06

新能源汽车、5G手机,第三代半导体的“春天”

从固话通讯和燃油汽车,到5G智能手机和新能源汽车,电力电子产品已经成为了我们生活的一部分,而这一过程的转变都离不开宽禁带半导体——第三代半导体。 第三代半导体具备着高击穿电场、高饱和电子速度、高热导率、高电子密度、高迁移率等特点,因此被业内誉为固态光源、电力电子、微波射频器件的“核芯”以及光电子和微电子等产业的“新发动机”。

行业资讯    发布时间 : 2024-08-28

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