【技术】MOS场效应晶体管的工作原理介绍

时间： 2023-05-31 来源：辰达行官网

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MDD品牌MOS管是一种应用非常广泛的电子元器件，其中大部分是用作开关管的，从电源到各类型的功率驱动，都少不了MOS管的身影。今天辰达行来简单介绍一下MOS管的工作原理。

在工作时，在漏源之间加正向电压VDS，漏极和源极之间只有N型沟道是电流流通的路径。如果内部两个PN结施加反偏电压VGS，即P接负、N接正，等同于两个PN结均处于反偏状态，随反偏电压增加，PN结变厚，N形区的沟道变窄，电流变小。IDS电流受VGS反偏电压的高低控制。

图 1

N型结型场效应管

在VDS加正向电压，VGS未加电压时，两个N型半导体材料中间有P型半导体，有一个PN结始终处理反偏状态，所以MOS不导能。如右图，在VGS加正向电压时，金属上电子由于中间有绝缘层不导通，但形成的电场将P型半导体的多子（空穴）向下推开，吸引两个N型半导体的多子（电子）在绝缘层下形成通道，两个N型半导体导通。控制VGS大小（即形成的电场）即可控制沟道的宽度，从而控制IDS电流的大小。

图 2

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