【产品】0.2GHz~5GHz射频开关芯片XND1180,低插入损耗0.7dB,隔离度35dB

2021-11-23 西南集成
高功率反射式射频开关芯片,XND1180,西南集成 高功率反射式射频开关芯片,XND1180,西南集成 高功率反射式射频开关芯片,XND1180,西南集成 高功率反射式射频开关芯片,XND1180,西南集成

西南集成XND1180是一款高功率反射式射频开关芯片。芯片在0.2GHz~5GHz频带内具有低插入损耗、低功耗、高隔离度、和高功率的特点。芯片射频端口无直流电平输出。芯片采用2mm×2mm×0.75 DFN6L塑料封装。

 图 1 功能框图

特点

•宽工作频带0.2GHz~5GHz

•低插入损耗0.7dB@0.2GHz

•高输出功率40dBm@0.2GHz

•高线性度OIP3 50dBm

•隔离度35dB@0.2GHz

•低功耗

 

应用范围

4G无线通讯系统

5G无线通讯系统

 

器件特征

表 1

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
主要功能
工作电压 (V)
通道增益 (dB)
外形尺寸 (mm)
XN695X
GNSS卫星导航模块
BDS:B1;GPS:L1;GLONASS:L1
3.3V±5%
≥80
22.0×22.0×4.0

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