【产品】20V P沟道增强型MOSFET AM2309，采用SOT-23S封装，具备改进的成型工艺
AIT推出的AM2309是一款20V，P沟道增强型MOSFET。除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，该产品的绝对最大额定参数为：漏源电压-20V、栅源电压±8V、连续漏极电流-2.3A、脉冲漏极电流-8A，最大耗散功率0.9W、工作结温与存储温度均为-55°C ~150°C。该产品采用SOT-23S封装，引脚分布如下图：
产品特性：
● VDS = -20V
RDS(ON), VGS@-4.5V, IDS@-2.8A =100mΩ
RDS(ON), VGS@-2.5V, IDS@-2.0A =150mΩ
● 先进的沟槽加工技术
● 极低的导通电阻高密度的单元设计
● 极好的雪崩性能
● 改进的成型工艺
● 驱动简单
● 小封装
● 表面贴装器件
● 采用SOT-23S 封装
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