【产品】100V/113A N沟道功率MOSFET JMSL1006AGQ,导通电阻典型值低至4.7mΩ
捷捷微电推出一款采用PDFN5x6-8L封装的N沟道功率MOSFET——JMSL1006AGQ,漏源电压最大额定值为100V,连续漏极电流最大额定值高达113A(TC=25°C),具有大电流处理能力。VGS=10V,ID = 20A时,漏源导通电阻典型值低至4.7mΩ,通过100%UIS 和Rg测试,且满足AEC-Q101认证,适用于汽车应用领域。
产品封装及电路图
产品特点
超低导通电阻
低栅极电荷
大电流处理能力
通过100%UIS 和Rg测试
满足AEC-Q101认证
用于汽车应用的功率MOSFET
最大额定参数(TA=25℃,除非特别说明)
电气参数(TJ=25℃,除非特别说明)
热性能
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