【产品】捷捷微电推出N沟道功率MOSFET JMSL0401AG，超低静态漏源导通电阻低至1.3mΩ
JMSL0401AG是捷捷微电推出的一款40V 1.3mΩ的N沟道功率MOSFET，采用PDFN5x6封装，具有超低RDS(ON)，低栅极电荷，大电流能力等特性。TA=25℃时，漏源电压绝对最大额定值为40V，在TJ=25℃，VGS=10V，ID=20A时，RDS(ON)典型值为1.3mΩ。产品可应用于DC/DC和AC/DC（SR）子系统中的电流切换，负载切换、快速/无线充电、电机驱动等应用中。
产品概要
特点：
超低RDS(ON)
低栅极电荷
大电流能力
100%UIS测试，100%Rg测试
应用
计算、CE、IE 4.0、通信中的电源管理
DC/DC和AC/DC（SR）子系统中的电流切换
负载切换、快速/无线充电、电机驱动
封装和引脚信息
订购信息
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
电气特性（TJ=25℃，除非另有说明）
热参数
Note:
1：计算的连续电流假设TJ_Max的条件，而实际的连续电流取决于热和机电应用板的设计。
2：在TJ_Max=150℃下进行单脉冲测量。
3：这种单脉冲测量是在[L=300μH，VGS=10V，VDS=20V]的条件下进行的，而它的值受到TJ_Max=150℃限制。
4：耗散功率PD基于TJ_Max=150℃。
5：该值由设计保证，因此不包括在生产测试中。
6：连续电流额定值受所用封装的限制。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由浩哥的小锤锤翻译自捷捷微电，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】采用PDFN5x6-8L封装的N沟道功率MOSFET JMSL0601AG，漏源导通电阻低至0.9mΩ
JMSL0601AG是捷捷微电推出的一款60V 0.9mΩ的N沟道功率MOSFET，采用PDFN5x6-8L封装，具有超低RDS(ON)，低栅极电荷，大电流能力等特性。TA=25℃时，漏源电压绝对最大额定值为60V，连续漏极电流高达275A。
产品 发布时间 : 2022-11-23
【产品】漏源电压150V的N沟道功率MOSFET JMSH1552AK/H，漏源导通电阻仅44mΩ
JMSH1552AK/H是捷捷微电推出的两款N沟道功率MOSFET，分别采用TO252-3L和TO251-3L封装，具有超低漏源导通电阻、低栅极电荷、高电流能力等特性。在TA=25℃条件下，其漏源电压最大额定值为150V，栅源电压最大额定值为±20V。
产品 发布时间 : 2022-11-19
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论