电动车对6英寸SiC晶圆需求广阔，兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商UnitedSiC提供完美解决方案

时间： 2021-12-24 来源：UnitedSiC

因为其领先的性能优势，电动汽车市场对 SiC 器件的需求与日俱增。据 TrendForce 集邦咨询研究显示，随着电动车渗透率不断升高，预估 2025 年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片。他们进一步指出，从目前来看，电动车已成为 SiC 核心应用场景，其中 OBC（车载充电器）和 DC-DC 转换器组件对于 SiC 器件的应用已经相对成熟，而基于 SiC 的主驱逆变器仍未进入大规模量产阶段。

集邦咨询同时还表示，上游 SiC 衬底材料环节将成为产能关键制约点，其制程复杂、技术门槛高、晶体生长缓慢。现阶段用于功率器件的 N 型 SiC 衬底仍以 6英寸为主。虽然现在有厂商推动往 8英寸转变，但由于良率提升及功率晶圆厂由 6英寸转 8英寸需要一定的时间周期。因此集邦咨询强调，至少未来 5年内 6英寸 SiC 衬底都仍为主流。

对于 Qorvo 来说，在早前宣布收购 UnitedSiC 之后，也顺势成为了这个市场的重要玩家。自 1999 年成立以来，UnitedSiC 一直聚焦在 SiC 器件的研发。基于多年来的经验，UnitedSiC 已经推出了多系列的 SiC 产品，能直接替代 PFC、LLC 或 PSFB 拓扑的 Si 超级结，并与竞争对手的 SiC MOSFET 栅极驱动直接兼容。成为全球唯一一家拥有同时兼容 SiC 和 Si 驱动的 SiC FET 制造商。

在去年年底，UnitedSiC 推出了其第四代 SiC FET，并基于其第四代 SiC FET 先进技术平台推出四款首批器件。让其强大的业界领先 SiC FET 产品组合更趋完善。该产品性能取得了突破性发展，旨在加速在汽车充电、工业充电、电信整流器、数据中心 PFC 直流转换、可再生能源和储能应用中采用宽带隙器件。这四款新型 SiC FET 包含导通电阻 RDS(on)18mΩ 和 60mΩ 两种方案，其性能表征 FoM 达到最优，并且其单位面积通态电阻更低。此外，该器件采用先进的烧结式晶粒粘接技术，改进了热性能，从而实现了大额定电流。

据 UnitedSiC 介绍，公司的 SiC FET 在全球快速增长的市场中得到广泛认可，尤其是在如 LLC 和移相全桥这样的高压 DC-DC 电源转换拓扑以及 AC-DC 应用（如替代 Vienna Rectifier 的 6开关 SiC 解决方案和图腾柱 PFC）市场。面向快速增长的 EV电机驱动市场中，UnitedSiC 提供的、行业最高性能、最低 R(DS)-on ，额定电压为 650V 和 1200V的产品正迅速成为 EV电源设计人员的首选产品。SiC FET 是性能和可靠性改进的主要贡献者，可降低下一代数据中心的整体系统成本。此外，UnitedSiC 还为工业车辆提供重要的充电时间和充电时间优势。

最后，UnitedSiC 卓越的效率等级使其产品成为太阳能电池阵列技术的完美解决方案选择。鉴于这种类型的设计师接受度，很明显碳化硅器件正在成为这些快速增长市场的关键推动因素之一。

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UnitedSiC低导通电阻SiC FET荣获“第十八届TOP10电源产品奖”

UnitedSiC低RDS(on) SiC FET--UF3SC065007K4S和UF3SC120009K4S，荣获“第十八届TOP10电源产品奖”。

2020-11-13 - 行业资讯

【经验】SiC FET关断时VDS尖峰和振荡问题的解决方法

UnitedSiC的SiC FET能直接替代Si MOSFET，但其高开关速度也可能会使关断VDS电压产生尖峰和震荡，使系统的EMI变差。关断时的VDS尖峰和振荡产生的根本原因是高速开关过程中di/dt在杂散电感上产生了较高的感应电压。本文将给出并对比几种解决方案。

2020-11-02 - 设计经验

UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管选型指南

目录- Product introduction SiC FETs SiC JFETs SiC Schottky Diodes

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2022/4/22 - UNITEDSIC - 选型指南

具有业界出众性能的1200V第四代SiC FET为高压市场提供优秀SiC功率解决方案

UnitedSiC扩充了1200V产品系列，将突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4C/SC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧，现以TO247-4L（开尔文连接）封装提供，而1200V的53毫欧和70毫欧SiC FET还以TO247-3L封装提供。

2022-06-29 - 原厂动态

SiC FET用户指南

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April 2022 - UNITEDSIC - 用户指南 - UnitedSiC_UG0001

全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商——UnitedSiC（联合碳化硅）

UnitedSiC（联合碳化硅）开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管（FET）、碳化硅结型场效应晶体管（JFET）和碳化硅肖特基二极管（Schottky Diode）等功率半导体器件，且可定制,为电动汽车充电器，DC-DC转换器，牵引变流器等。

2019-11-22 - 品牌简介

SiC FET的起源和发展—与SiC MOS及其他替代技术的性能比较

使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是，碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本文追溯了SiC FET的起源和发展，直至最新一代产品，并将其性能与替代技术进行了比较。

2022-06-21 - 原厂动态

UnitedSiC FET用户指南

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September 2021 - UNITEDSIC - 用户指南查看更多版本

UnitedSiC FET用户指南

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September 2021 - UNITEDSIC - 用户指南

UnitedSiC FET用户指南

描述- 本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导原则。内容包括阻尼器设计指南、Snubber规则、BOM表格以及相关注意事项。指南通过实验验证了阻尼器的效果，并分析了硬开关和软开关应用中的有益影响。

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December 2019 - UNITEDSIC - 用户指南

UnitedSiC FET用户指南

描述- 本指南提供了使用RC阻尼器与快速开关SiC器件的实际解决方案和指导。通过实验双脉冲测试（DPT）结果验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量，以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬开关和软开关应用中的有益影响。附带的“使用阻尼器开关快速SiC FET”应用笔记可在https://unitedsic.com/wp-content/uploads/appnotes/Snubber%20AppNotes_V8.pdf找到。指南中包含了基本假设、阻尼器规则、BOM清单和注意事项。

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December 2018 - UNITEDSIC - 用户指南 - version 4.0

【经验】适用于SiC FET的简单RC缓冲电路，可解决电压过冲和振铃等问题

随着我们的产品接近边沿速率超快的理想半导体开关，电压过冲和振铃开始成为问题。适用于SiC FET的简单RC缓冲电路可以解决这些问题，并带来更高的效率增益。UnitedSiC将在本文中进行详细的分析。

2022-01-27 - 设计经验

【产品】UnitedSiC推出新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET 非常适合主流的800V总线结构

UnitedSiC宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源等应用。

2022-05-21 - 新产品