电动车对6英寸SiC晶圆需求广阔，兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商UnitedSiC提供完美解决方案
因为其领先的性能优势，电动汽车市场对 SiC 器件的需求与日俱增。据 TrendForce 集邦咨询研究显示，随着电动车渗透率不断升高，预估 2025 年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片。他们进一步指出，从目前来看，电动车已成为 SiC 核心应用场景，其中 OBC（车载充电器）和 DC-DC 转换器组件对于 SiC 器件的应用已经相对成熟，而基于 SiC 的主驱逆变器仍未进入大规模量产阶段。
集邦咨询同时还表示，上游 SiC 衬底材料环节将成为产能关键制约点，其制程复杂、技术门槛高、晶体生长缓慢。现阶段用于功率器件的 N 型 SiC 衬底仍以 6英寸为主。虽然现在有厂商推动往 8英寸转变，但由于良率提升及功率晶圆厂由 6英寸转 8英寸需要一定的时间周期。因此集邦咨询强调，至少未来 5年内 6英寸 SiC 衬底都仍为主流。
对于 Qorvo 来说，在早前宣布收购 UnitedSiC 之后，也顺势成为了这个市场的重要玩家。自 1999 年成立以来，UnitedSiC 一直聚焦在 SiC 器件的研发。基于多年来的经验，UnitedSiC 已经推出了多系列的 SiC 产品，能直接替代 PFC、LLC 或 PSFB 拓扑的 Si 超级结，并与竞争对手的 SiC MOSFET 栅极驱动直接兼容。成为全球唯一一家拥有同时兼容 SiC 和 Si 驱动的 SiC FET 制造商。
在去年年底，UnitedSiC 推出了其第四代 SiC FET，并基于其第四代 SiC FET 先进技术平台推出四款首批器件。让其强大的业界领先 SiC FET 产品组合更趋完善。该产品性能取得了突破性发展，旨在加速在汽车充电、工业充电、电信整流器、数据中心 PFC 直流转换、可再生能源和储能应用中采用宽带隙器件。这四款新型 SiC FET 包含导通电阻 RDS(on)18mΩ 和 60mΩ 两种方案，其性能表征 FoM 达到最优，并且其单位面积通态电阻更低。此外，该器件采用先进的烧结式晶粒粘接技术，改进了热性能，从而实现了大额定电流。
据 UnitedSiC 介绍，公司的 SiC FET 在全球快速增长的市场中得到广泛认可，尤其是在如 LLC 和移相全桥这样的高压 DC-DC 电源转换拓扑以及 AC-DC 应用（如替代 Vienna Rectifier 的 6开关 SiC 解决方案和图腾柱 PFC）市场。面向快速增长的 EV电机驱动市场中，UnitedSiC 提供的、行业最高性能、最低 R(DS)-on ，额定电压为 650V 和 1200V的产品正迅速成为 EV电源设计人员的首选产品。SiC FET 是性能和可靠性改进的主要贡献者，可降低下一代数据中心的整体系统成本。此外，UnitedSiC 还为工业车辆提供重要的充电时间和充电时间优势。
最后，UnitedSiC 卓越的效率等级使其产品成为太阳能电池阵列技术的完美解决方案选择。鉴于这种类型的设计师接受度，很明显碳化硅器件正在成为这些快速增长市场的关键推动因素之一。
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品牌简介 发布时间 : 2019-11-22
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