【产品】Wolfspeed高性能电源模块和栅极驱动器板,实现超低损耗
1.介绍
WOLFSPEED的电源模块可以将SiC MOSFET和肖特基二极管带入更高功率(千瓦至兆瓦)应用,并保持原有的性能优势。由于它们采用标准工业外壳封装,因此系统设计人员可以快速评估Wolfspeed全SiC模块的系统级优势。,作为电源模块的补充, Wolfspeed的栅极驱动板进一步增强了评估功能。
Wolfspeed电源模块与标准硅IGBT模块的引脚兼容,同时内部设计经过优化,可提供最佳性能。通过精心布局和端子设计,可以最大限度地减少限制开关速度的寄生杂散电感。通过选择高导热率的绝缘材料,可以最大限度地减少限制电流处理能力的寄生热阻。由于这些增强功能特点,Wolfspeed电源模块的开关速度比同等额定值的Si IGBT模块快5到10倍,而且不会影响效率。
Wolfspeed栅极驱动板对所有用户都极具价值。对于那些正在寻求批量生产解决方案的用户来说,PT系列栅极驱动器的设计具有完整栅极驱动器解决方案中所需的所有操作和安全功能。对于实施初始设计和原型设计工作的用户,CGD系列中的Wolfspeed具有所有基本的驱动程序功能。 CGD驱动程序设计文件也可为用户设计自己的门驱动程序提供帮助。
2.性能特征
采用最先进的Wolfspeed SiC MOSFET和肖特基二极管,实现超低损耗
高导热氮化铝绝缘端子
高频操作
MOSFET导通电阻和肖特基二极管正向电压的正温度系数
与行业标准Si IGBT功率模块引脚兼容
3.主要优势
高效运行
降低散热需求
减小了无源元件的尺寸,重量和成本
减轻过压保护压力
易于并联多个模块,具有最小的电流降额
易于系统内评估
4. 电源模块参数
5. 栅极驱动器板参数
6. 开关瞬态性能和寿命
Wolfspeed的CAS300M12BM2半桥模块的开关瞬态表现出快速转换,没有Si IGBT固有的任何关断电流拖尾效应,也没有Si PiN二极管反向恢复固有导通期间的大电流过冲,如图1所示。
图1. CAS300M12BM2半桥模块的开关瞬态图
Wolfspeed的CCS050M12CM2六组件模块的功率循环结果表现出的寿命明显优于LESIT1研究结果(对标准Si IGBT的独立研究,代表模块性能的最低要求),并接近现代Si IGBT4模块的水平。
图2 CCS050M12CM2模块寿命曲线
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由JWM翻译自Wolfspeed,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】SiC MOSFET半桥模块用于开关电源,系统效率能达到99%
最大电压为1200V,最小内阻为5m欧的半桥模块Cree的CAS300M12B2是近年来快速发展起来半导体材料之一,具有广阔的市场应用前景。
新产品 发布时间 : 2016-07-26
【产品】隔离电压达1700V的SiC MOSFET隔离驱动板
CRD-001可以使系统有极高的开关频率与超低的开关损耗,及更小的体积与重量,从而提高整个系统的能效。
新产品 发布时间 : 2017-07-19
【产品】6通道SiC MOSFET驱动器,具有多重电路保护功能
WolfSpeed SiC MOSFET驱动器 CGD15FB45P1开关频率达250kHz,输出输入电压变化率达到50000 V/μs,专用于驱动SiC MOSFET功率模块。
新产品 发布时间 : 2017-06-12
COMMERCIALLY AVAILABLE SIC POWER DEVICES
型号- C4D40120D,CPM2-1200-0080B,CPM2-1200-0040B,CPW3-1700-S025B,C2M0280120D,C3D10170H,C3D03065E,CRD-001,CPM3-0900-0065B,CPW2-0650-S016B,C3D02060A,CRD-06AD09N,CRD-5FF0912P,CRD15DD17P,CRD-50DD12N-2,CCS020M12CM2,CSD01060A,C3M0065100J,C3M0065100K,C3D08065A,C4D08120A,C3M0120090D,CPM2-1200-0025B,C3D08065E,C4D08120E,CSD01060E,CPW4-1200-S002B,C3D25170H,CPW5-0650-Z030B,C4D30120D,C3D20060D,C3M0120090J,C3D08065I,CGD15FB45P1,C2M0160120D,C3D02060E,C3D02060F,CPM2-1700-0045B,C4D10120D,C4D10120A,C4D02120E,CPM3-1000-0065B,C3D04060A,C4D02120A,C2M0045170P,C4D10120H,C4D10120E,CPW3-1700-S010B,CRD-200DA09E,C3D16065A,CPW3-0650-S004B,CPW5-1700-Z050B,C3D1P7060Q,C3D16065D,CPW3-0600-S004B,C3D04060E,C3D04060F,KIT8020-CRD-8FF0917P-2,CRD-8FF1217P-1,CPW2-0650-S006B,CPW3-0600-S002B,CPW2-0650-S010B,CPM2-1200-0160B,CRD-50DD12N,C3D10060A,C2M0045170D,C3D06060F,C3D06060G,C3D06060A,C3D10060G,CRD-8DD12P,CRD-200DA12E,C2D05120A,CPW3-0600-S003B,CPM3-0900-0030A,CGD15HB62LP,C3D02065E,C3D10065A,C4D15120D,C3M0065090J,C4D15120A,C3M0065090D,CPWR-0600-S001B,CPW5-1200-Z050B,C3M0075120K,C3D10065I,C3M0030090K,C3D10065E,CGD15SG00D2,C3D08060A,CPW2-0600-S010B,C3D08060G,CPW4-1200-S005B,C3M0120100J,C3D20065D,C4D15120H,CPW4^1200-S015B,C3M0120100K,CPW2-0650-S012B,C3D12065A,C3D03060E,C3D30065D,C3D03060F,CPW2-1200-S050B,C3D16060D,CPW2-0600-S006B,C3D03060G,CPW2-0650-S008B,CRD-060DD17P-2,CPW4-1200-S010B,C3D03060A,CPW5-0650-Z050B,C2M0080120D,CRD-20AD10N,CAS300M17BM2,C2M1000170D,C3D06065A,C2M1000170J,C3D06065I,C4D20120H,C3D06065E,CAS325M12HM2,C3M0280090J,CRD-20DD09P-2,CPW4-1200-S003B,C3M0280090D,C5D50065D,C4D20120A,CGD15HB62P1,CVFD20065A,CRD-02AD09N,C4D20120D,KIT8020-,C3D04065A,CAS300M12BM2,CCS050M12CM2,CRD-060DD12P,C3D04065E,CPW2-0600-S008B,C2M0025120D,C2M0080170P,CPM2-1700-0080B,C2M0040120D,CPW4-1200-S020B,C4D05120A,C4D05120E,CPM3-0900-0010A,CAS120M12BM2
解密:感应加热设备效率提升99%、电源模块数减少2.5倍
感应加热系统由感应加热控制板、功率板和加热线圈组成,SiC材料可使感应加热效率达到99%,wolfspeed半桥双功率模块CAS300M12BM2的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ,在高频感应加热系统可减少2.5倍的电源模块数,最终减少了用户的成本。
新应用 发布时间 : 2016-04-11
Modules and Gate Driver Boards
型号- PT62SCMD17,CGD15HB62P1,CGD15FB45P1,CRD-001,CGD15HB62LP,PT62SCMD12
用在50kW电机控制器上,要求最大电压为1200V,电流为300A,有没有合适的碳化硅MOS推荐?
没有合适的单管碳化硅MOS推荐,推荐碳化硅功率模块CAS300M12BM2,额定电压为1200V,电流为300A,该模块为半桥结构集成两个MOS。
技术问答 发布时间 : 2017-07-01
专为SiC MOSFET设计的驱动模块,使器件工作在最佳状态
CGD15HB62P1专为1200V SiC MOSFET器件而设计的双路SiC MOSFET门极驱动模块,用于SiC MOSFET分立器件和模块的驱动,能使器件工作在最佳状态。
新产品 发布时间 : 2016-08-17
感应加热设备效率提升99%的CAS300M12BM2 SiC半桥双功率模块,电源模块数减少2.5倍
SiC材料可使感应加热效率达到99%,WOLFSPEED(原cree公司)SIC半桥双功率模块CAS300M12BM2的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ。CAS300M12BM2外壳采用行业标准的62mm x 106mm x 30mm,封装则采用Half-Bridge Module,具有超低损耗、高频率特性以及易于并联等特点。漏极电流方面,连续通电时最大为404A(@25℃)。
应用方案 发布时间 : 2018-08-22
电子商城
品牌:数明半导体
品类:Single-Channel, High-Speed, Low-Side Gate Driver
价格:¥0.7059
现货: 14,964
现货市场
服务
可定制变压器支持60W-600W范围,额定电流最高10A,漏感稳定度最小3%;支持开关变压器、电流感测变压器、栅极驱动变压器、LLC谐振变压器、PoE变压器等产品定制。SPQ为5K。
提交需求>
可定制变压器电压最高4.5KV,高频30MHz;支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量: 100000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论