【经验】随机发生的软错误损害存储设备,ATP e.MMC具有先进的SRAM软错误检测器和恢复机制保障数据完整性
IBM二十多年前进行的一项研究表明,高能核粒子会引起电子组件“软”错误。核粒子有两种来源:在所有物质中都存在痕量的衰变放射性原子,以及通过地球大气层级联的地外放射性宇宙射线。当这些粒子撞击硅核时,会爆炸成碎片,产生电荷流,可能会使任何电路瘫痪。由于宇宙射线,任何电路都容易发生软故障。
软错误与硬错误
JEDEC将软错误定义为,“来自锁存器或存储单元的错误输出信号,可以通过执行包含锁存器或存储单元的设备的一个或多个正常功能来纠正”。通常,这个术语是指由辐射或电磁脉冲引起的误差,而不是指制造过程中引入的物理缺陷引起的误差。软错误是随机发生的,不会对存储设备造成永久性的损害。
另一方面,硬错误是那些“由于内存或存储设备上的硬件或物理缺陷而不断重复出现的错误”。硬内存错误通常是由于操作系统超出了内存的速度容量和使系统产生静电引起的。其他原因包括环境因素,如温度、冲击/振动、电/电压应力或物理应力。处理不当、老化或制造缺陷也会影响硬件组件的可靠性。硬错误通常是永久性的,需要更换模块。
软错误产生的原因和影响
软错误,也称为单粒子翻转(SEU),是由宇宙射线和α粒子的电离辐射引起的。宇宙射线,比如中子,是来自太空的高能粒子,它们进入地球的大气层并与空气相互作用,而α粒子则来自存储芯片封装中的痕量污染物或放射性物质。当这些高度带电的粒子穿透存储单元时,位的状态会发生变化(翻转)。如果电荷足够大,则可能导致多个单元或位不正常
在要求最高可靠性的系统中,可以通过应用屏蔽材料或使用对辐射不敏感的组件来减少α粒子。但是,中子不能被屏蔽–它们甚至可以穿透5英尺的混凝土!
图1 当来自宇宙射线的放射性粒子(如中子)从基质中穿透硅核时,产生的核反应会使硅核碎裂。这些碎片(阿尔法粒子)打乱了敏感区域,导致存储单元“翻转”或改变值
软错误通常通过系统重新启动来解决,然而,由于它们是随机的和暂时的,因此有可能未被检测到,从而在没有采取适当措施的情况下积累起来。以下是一些软错误的影响:
1、 功能中断;
2、 读/写错误,数据损坏;
3、 设备挂起或停止工作,但在重新启动后可恢复;
4、 阻塞,或者即使在重新启动电源后设备也无法工作;
5、 数据写入错误的位置;
6、 数据写入需要更长的时间。
图2 软错误,也称为单粒子翻转,是指来自环境的高电荷粒子(如中子)和放射性物质(如阿尔法粒子)撞击电子设备的敏感区域,并破坏其正常运行。
SRAM的缺点
英特尔进行的研究表明,高海拔地区宇宙射线引起的电子故障的概率会增加。然而,如今即使是地面设备也面临巨大的风险,特别是对辐射效应具有高敏感性的基于SRAM的设备。处理器使用静态随机存取存储器(SRAM)作为内存缓存。动态随机访问内存(DRAM)需要不断地刷新(充电)以保存数据,而SRAM不需要频繁地刷新就可以存储数据。这意味着处理器不必等待访问SRAM上的数据,从而加快处理速度。SRAM非常快,因此也比DRAM更贵。以下是SRAM易受软错误影响的常见原因。
1、较低的供电电压。 SRAM电压随每一代工艺的更新而下降,从而导致较低的单元电容(单元存储电荷的能力)。这使存储单元更容易受到α粒子或宇宙射线的撞击。
2、缩放。使用更多的SRAM位来减少延迟的趋势使SRAM阵列成为芯片上最密集的存储器,并增加了对带电粒子的暴露。
3、包装。集成芯片的包装材料中含有少量的放射性污染物。例如,在模具化合物和装配材料中发现了痕量的铀和钍。如果不能保持理想的材料纯度,则alpha粒子会导致软错误。
对于一些个人设备,软错误的影响可能是微不足道的。然而,对于金融交易、交通管理、安全/监视等关键任务来说,即使是很小的故障也会造成灾难性的影响。无人值守的软错误会导致功能损失、系统故障和其他不利影响。
ATP e.MMC先进的SRAM软错误检测器和恢复机制通过提供及时的错误检测,日志记录和可配置的操作来解决错误,最大化了数据完整性(配置由客户使用ATP预先确定,不能在现场更改)。如果在评估风险之后,用户选择继续运行设备,则应执行错误日志和系统重新启动,以避免不可预料的事件可能损坏系统,更糟的是在关键的自主应用程序中造成人身安全风险。
下图显示了e.MMC SRAM软错误检测器和恢复机制的工作方式。(注意:步骤可能会有所不同,具体取决于预定的配置。)
图3 一旦检测到错误,该事件就会记录在闪存中。可以警告系统处理错误,并且固件可以停止。 ATP SRAM软错误检测器和恢复机制尝试通过启动系统重新启动来纠正错误
图4.如果系统重新引导失败,则该错误被视为“硬错误”,应更换e.MMC。如果系统重新启动成功,则该错误被确认为“软错误”。这意味着重新启动已解决了该错误,并且可以使用正确的数据继续操作
软错误可能会破坏数据并导致系统故障或出现故障。 SRAM特别容易受到攻击。 因此,重要的是能够检测到内置纠错码可能没有检测到的错误。 数据完整性和高可靠性对于如网络,军事,医疗保健,金融服务等关键任务应用至关重要。 因此,重要的是要确保软错误不会恶化,因为软错误不仅可能会损坏非常重要的数据,而且还可能损坏物理资产。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由wshine翻译自ATP ELECTRONICS,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
Understanding RAM and DRAM Computer Memory Types
ATP offers industrial memory modules in different architectures, capacities and form factors. ATP DRAM modules are commonly used in industrial PCs and embedded systems. Resistant against vibration, shock, dust and other challenging conditions, ATP DRAM modules perform well even under the most demanding workloads and applications, as well as in different operating environments.
设计经验 发布时间 : 2023-12-17
ATP e.MMC集成数据刷新技术,确保数据在使用寿命期间的可靠性和准确性,对2D NAND e.MMC提供长期供货支持
ATP Electronics的e.MMC解决方案集成了数据刷新技术,专为空间受限的系统而设计和制造,可确保数据在整个使用寿命期间的可靠性和准确性。为了满足对基于2D NAND闪存的e.MMC的持续需求,ATP Electronics致力于长期向客户提供低容量e.MMC,产品容量包括MLC 8GB/16GB,pSLC模式的4GB/8GB。
原厂动态 发布时间 : 2024-08-21
ATP(华腾国际)DRAM存储模块和NAND闪存产品选型指南(英文)
目录- Company Profile Segment Challenges and Solutions Thermal Solutions Endurance Solutions Security Solutions CFexpress & USB 3.0 Value Line SSDs DDR5 DRAM SOLUTIONS FLASH SOLUTIONS Flash Products Naming Rule Solutions & Technologies Flash Technology Overview table Complete Flash Spec Overview & Product Dimensions
型号- A750PI,E650SC SERIES,S600SC,B800PI,S750 SERIES,S600SI,S600SCA,E750PC SERIES,B600SC,N700PC,S700SC,E650SC,A750 SERIES,E600VC,S800PI,A750PI SERIES,I800PI,A600VC,A650SI,A650SC,N700 SERIES,S650SI,N750,N750PI,A800PI,A700PI,N700SI,N650 SERIES,E600SAA,N700SC,A750,N600SC,A600VC SERIES,E600SA,E650SI,E650SI SERIES,N750 SERIES,E700PIA,TR-03153,N600SI,S650,S650SC,E700PAA,N650SIA,E600SI,B600SC SERIES,S750SC,S600SIA,I700SC,N650SI,N600VI,E600SIA,E750PI,N650SC,N750PI SERIES,N600VC,I600SC,E750PC,S700PI,A650 SERIES,N650,N600 SERIES,N600VC SERIES,S650 SERIES,A650,AES-256,E700PI,A600SI,E750PI SERIES,N700PI,E700PA,S750,S750PI,E700PC,A600SC
e.MMC MLC Solutions The Global Leader in Specialized Storage and Memory Solutions
型号- E700PI,E600SA,E700PIA,E600SIA,E700PA,E600SI,E600SC,E700PAA,E600SAA,E700PC
ATP(华腾国际)DRAM存储模块和NAND闪存产品选型指南(中文)
目录- 公司简介 细分市场挑战和解决方案 热管理解决方案 TSE闪存解决方案 DRAM解决方案 闪存解决方案 闪存解决方案-固态驱动器和模块 闪存解决方案-存储卡 闪存解决方案-托管NAND 闪存产品命名规则 闪存规范概述和产品尺寸
型号- A750PI,S600SC,N750PI系列,B800PI,S750 SERIES,S600SI,S600SCA,B600SC,N700PC,S700SC,N600,E650SC,E750,E750PC系列,E600VC,S800PI,I800PI,E750 SERIES,A600VC,A650SI,N600系列,A650SC,N700 SERIES,S650SI,N750,N750PI,A800PI,A700PI,N700SI,E600SAA,N700SC,A750,N600SC,A600VC SERIES,E600SA,E650SI,E700PIA,N600SI,S650,S650SC,E700PAA,N600VC系列,N650系列,N650SIA,N750系列,E600SI,S750系列,E650,N700,S750SC,S600SIA,I700SC,N650SI,N600VI,E650SI系列,E600SIA,E650SC系列,E750PI,N650SC,S650系列,N600VC,I600SC,E750PC,A600VC系列,A650系列,S700PI,N700系列,N650,N600 SERIES,N600VC SERIES,A750PI系列,S650 SERIES,A650,E700PI,E750PI系列,A600SI,N700PI,A750系列,E700PA,E650 SERIES,S750,S750PI,E700PC,A600SC
ATP(华腾国际)固态硬盘选型指南
描述- Since 1991, we have consistently distinguished ourselves as one of the world’s leading original equipment manufacturers (OEM) of high-performance, high-quality and high-endurance NAND flash products and DRAM modules.
型号- A750PI,S600SC,B800PI,S750 SERIES,S600SI,B600SC,N700PC,A750 SERIES,E650SC,N601,N651SI,A600VI,S800PI,E600VC,I800PI,A600VC,A650SI,A650SC,N651SC,N750,S650SI,A600VI SERIES,N750PI,N651SIE,A800PI,N601 SERIES,A700PI,N651SIA,N650 SERIES,E600SAA,A750,A600VC SERIES,N600SC,E600SA,E650SI,N750 SERIES,E700PIA,N600SI,S650,S650SC,N651SI SERIES,E700PAA,B600SC SERIES,E600SI,N600VI SERIES,I700SC,N600VI,N650SI,E600SIA,N650SC,E750PI,N600VC,I600SC,E750PC,N651,S700PI,A650 SERIES,N650,N751PI,S700PC,N600VC SERIES,N651 SERIES,S650 SERIES,A650,N601SC,S750PC,E700PI,A600SI,N700PI,E700PA,S750,S750PI,E700PC,N651SCE,A600SC
ATP e.MMC v5.1 Embedded Flash Storage Solution
型号- E600SI,E650SC,E600SAA,E700PI,E600SA,E650SI,E600VC,E700PIA,E600SIA,E700PA,E750PI,E700PAA,E750PC,E700PC
E600Saa Series AF016GEC5X-2001A2/AF032GEC5X-2001A2/AF064GEC5X-2001A2/AF128GEC5X-2001A2 Automotive-Gradee.MMC Data Sheet
型号- AF128GEC5X-2001A2,AF032GEC5X-2001A2,AF064GEC5X-2001A2,E600SAA,AF016GEC5X-2001A2
L-Series e.MMC The Global Leader in Specialized Storage and Memory Solutions
型号- L-SERIES,E700PI,E600SA,E600VC,E700PIA,E600SIA,E700PA,E600SI,E700PAA,E600SAA,E700PC
【产品】采用153-ball FBGA封装的e.MMC,具备超强耐用性和可靠性,满足严苛的工业应用要求
ATP ELECTRONICS工业级 e.MMC 解决方案是一种先进的存储解决方案,它将NAND闪存、先进的闪存控制器和快速多媒体卡(MMC)接口集成在同一个封装中。ATP e.MMC在内部管理所有后台操作,使主机不必处理低级别的闪存操作,从而实现更快、更高效的处理效率。
产品 发布时间 : 2021-12-11
【应用】ATP的e.MMC、工业SD卡和工业microSD卡用于汽车领域,提供超大容量内存和宽温度支持
针对汽车智能化发展的需求,ATP拥有一系列内存和存储解决方案,包括e.MMC、工业SD卡、工业microSD卡等产品,其防护性、坚固性设计使其能够承受各种环境条件;紧凑的尺寸允许放置在小型嵌入式车辆系统中;而且,不同的容量和性能还确保了能够满足特定汽车需求。
应用方案 发布时间 : 2019-12-06
e.MMC The Global Leader in Specialized Storage and Memory Solutions
型号- E600SI,E650SC,E600SAA,E700PI,E600SA,E650SI,E600VC,E700PIA,E600SIA,E700PA,E750PI,E700PAA,E750PC,E700PC
Extensive Reliability Tests Prove the Suitability of 3D e.MMC MLC and SLC Mode for Demanding Industrial Automotive Application
Based on the results of the reliability tests, the ATP e.MMC with 3D SLC Mode and MLC NAND flash deliver reliable performance for industrial and automotive applications requiring high density and long endurance.
原厂动态 发布时间 : 2023-10-30
Tiny ATP e.MMC with Over 50K Endurance Rating Delivers Huge Benefits for Handheld Computers
Through stringent RDT testing and the use of SLC Mode NAND flash, ATP successfully achieved an average of 50K P/E cycles to meet the customer’s high-endurance requirement. This is significantly higher than the endurance ratings of other standard NAND flash technologies such as 2D/3D MLC (25-30K).
应用方案 发布时间 : 2023-10-29
电子商城
现货市场
服务
可定制ATP TE Cooler的冷却功率:40~200W;运行电压:12/24/48V(DC);控温精度:≤±0.1℃; 尺寸:冷面:20*20~500*300;热面:60*60~540*400 (长*宽;单位mm)。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论