【产品】100V/30A的N沟道功率MOSFET P30LA10SL，静态漏源导通电阻最大为21.0mΩ

时间： 2019-11-23 来源：ShinDengen

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P30LA10SL是SHINDENGEN（新电元）半导体公司推出的一款小型表面贴装型的N沟道功率MOSFET，在VGS=10V, ID = 15A时，静态漏源导通电阻最大为21.0mΩ。导通延迟时间典型值仅为4.5ns，上升时间的典型值为6.5ns，关断延迟时间典型值为46ns，下降时间的典型值为20ns，开关速度快，可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路等方面。

图1 P30LA10SL封装尺寸图

最大额定值方面，P30LA10SL功率MOSFET漏源电压VDSS 为100V，栅源电压VGSS为±20V，连续漏极电流（DC）ID为30A，可满足大功率电路的设计需求。结壳热阻Rth(j-c)最大仅为0.88℃/W，散热性能优异。总栅极电荷Qg典型值为61nC，不仅可使器件更好满足高速电路设计，同时具有更低损耗。器件正向跨导gfs最小值为11S，MOSFET拥有较好的放大能力。存储温度和沟道温度范围均为-55～150℃，耐高/低温性能优异。

P30LA10SL N沟道功率MOSFET产品特性：

漏源电压VDSS 为100V

栅源电压VGSS为±20V

连续漏极电流（DC）ID为30A

静态漏源导通电阻最大为21.0mΩ

总耗散功率最大额定值仅为142W

P30LA10SL N沟道功率MOSFET应用领域：

高速脉冲放大器

负载/电源开关

电源转换器电路

能源管理

电机驱动

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