【产品】AiT推出N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管AM2342，高密度工艺专为最小化通态电阻定制
AIT推出的AM2342是一颗N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度制造。先进的沟槽技术可提供卓越的RDS(ON)。AM2342采用高密度工艺是特别为最小化通态电阻而定制的。AM2342系列特别适用于低电压应用，低导通功率损耗更是小外形表面贴装封装产品所需求的。
除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM2342的绝对最大额定参数为：漏源电压20V、栅源电压±12V、当VGS=4.5V时，连续漏极电流（TJ=150℃）为5A、脉冲漏极电流20A、耗散功率1.25W。工作结温150℃，存储温度-55℃~150℃。AM2342采用SOT-23封装，引脚分布如下图：
产品特性：
● 20V/5.0A, RDS(ON) =25mΩ(典型值)@VGS =4.5V
● 20V/4.5A, RDS(ON) =34mΩ(典型值)@VGS =2.5V
● 20V/4.0A, RDS(ON) =48mΩ(典型值)@VGS =1.8V
● 用于极低RDS(ON)的超高单元密度设计
● 卓越的导通电阻性能和最大的直流载流能力
● 采用 SOT-23 封装
产品应用：
笔记本电脑的电源管理
便携设备
DSC
液晶显示逆变器
电池供电系统
DC/DC转换器
订购信息：
N沟道MOSFET引脚图：
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