【产品】AiT推出N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管AM2342，高密度工艺专为最小化通态电阻定制
AIT推出的AM2342是一颗N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度制造。先进的沟槽技术可提供卓越的RDS(ON)。AM2342采用高密度工艺是特别为最小化通态电阻而定制的。AM2342系列特别适用于低电压应用，低导通功率损耗更是小外形表面贴装封装产品所需求的。
除非另有说明，否则当环境温度为25℃时，AM2342的绝对最大额定参数为：漏源电压20V、栅源电压±12V、当VGS=4.5V时，连续漏极电流（TJ=150℃）为5A、脉冲漏极电流20A、耗散功率1.25W。工作结温150℃，存储温度-55℃~150℃。AM2342采用SOT-23封装，引脚分布如下图：
产品特性：
● 20V/5.0A, RDS(ON) =25mΩ(典型值)@VGS =4.5V
● 20V/4.5A, RDS(ON) =34mΩ(典型值)@VGS =2.5V
● 20V/4.0A, RDS(ON) =48mΩ(典型值)@VGS =1.8V
● 用于极低RDS(ON)的超高单元密度设计
● 卓越的导通电阻性能和最大的直流载流能力
● 采用 SOT-23 封装
产品应用：
笔记本电脑的电源管理
便携设备
DSC
液晶显示逆变器
电池供电系统
DC/DC转换器
订购信息：
N沟道MOSFET引脚图：
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|
产品型号
|
品类
|
V(BR)DSS (V)
|
VGS (V)
|
IDS (A) (25°C)
|
VGS(TH) (V) Min/Max
|
RDS(ON) Vgs=±10V (mΩ)Typ
|
Type
|
ESD
|
Vgs=±4.5V (mΩ) Typ
|
Vgs=±2.5V (mΩ) Typ
|
Vgs=±1.8V (mΩ) Typ
|
Package Type
|
|
AM0292
|
低压MOS管
|
100
|
±20
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120
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2.0/4.0
|
4
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N
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–
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–
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–
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–
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TO-220
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选型表 - AIT 立即选型
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制内充多极外充多极，平面多极和内外螺旋型各类充磁产品，多级充磁最多可做256极，通过环氧树脂加入稀土，模具压制支持多尺寸定制，
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
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授权代理品牌：电工工具及材料
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