【产品】AKG100N8K N沟道SGT MOSFET，具有极低的导通电阻，适用于高效电源管理应用
瑶芯微推出型号为AKG100N8K的N沟道SGT MOSFET，器件具有极低的导通电阻（RDSON），同时具有出色的开关特性，特别适用于高效电源管理应用。最大额定参数值和电气参数方面（TA=25℃），器件漏-源电压最大额定值为100V，持续漏极电流最大额定值高达88A（TC=25℃)，栅-源电压最大额定值为±20V，器件耗散功率最大额定值为100W（TC=25℃），稳态热阻（结到外壳）为1.25℃/W。TJ=25℃时，VGS=10V，ID=20A时，器件漏源导通电阻典型值低至6.8mΩ，最大值低至8mΩ；VGS=4.5V，ID=20A时，器件漏源导通电阻典型值低至7.8mΩ，最大值低至11.4mΩ。器件主要应用于DC/DC转换器，电源管理，电机驱动器等领域。
器件特征
N沟道SGT MOSFET，且针对其快速平滑开关特性进行了优化
出色的栅极电荷×RDSON（FOM）
极低的导通电阻
符合RoHS标准
无卤器件
器件应用领域
DC/DC转换器
电源管理
电机驱动器
最大额定值（TA=25℃，除非另有说明）
热阻值
Note：
1.最大漏极电流额定值受封装限制
2.重复额定值：脉冲宽度受最大结温度限制
3.L=0.5mH，VDD=20V，IAS=15.5A，RG=25Ω，Starting TJ=25℃
4.贴装在最小PCB板上
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