【产品】AKG100N8K N沟道SGT MOSFET，具有极低的导通电阻，适用于高效电源管理应用

时间： 2022-12-07 来源：瑶芯微

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瑶芯微推出型号为AKG100N8K的N沟道SGT MOSFET，器件具有极低的导通电阻（R_DSON），同时具有出色的开关特性，特别适用于高效电源管理应用。最大额定参数值和电气参数方面（T_A=25℃），器件漏-源电压最大额定值为100V，持续漏极电流最大额定值高达88A（T_C=25℃)，栅-源电压最大额定值为±20V，器件耗散功率最大额定值为100W（T_C=25℃），稳态热阻（结到外壳）为1.25℃/W。T_J=25℃时，V_GS=10V，I_D=20A时，器件漏源导通电阻典型值低至6.8mΩ，最大值低至8mΩ；V_GS=4.5V，I_D=20A时，器件漏源导通电阻典型值低至7.8mΩ，最大值低至11.4mΩ。器件主要应用于DC/DC转换器，电源管理，电机驱动器等领域。

器件特征

N沟道SGT MOSFET，且针对其快速平滑开关特性进行了优化
出色的栅极电荷×R_DSON（FOM）
极低的导通电阻
符合RoHS标准
无卤器件

器件应用领域

DC/DC转换器
电源管理
电机驱动器

最大额定值（T_A=25℃，除非另有说明）

热阻值

Note：

1.最大漏极电流额定值受封装限制

2.重复额定值：脉冲宽度受最大结温度限制

3.L=0.5mH，V_DD=20V，I_AS=15.5A，R_G=25Ω，Starting T_J=25℃

4.贴装在最小PCB板上

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