【产品】超低导通电阻仅80mΩ的N通道增强型SiC MOSFET LSIC1MO120E0080，针对高频率应用优化
力特（LITTELFUSE）作为全球领先的电路保护企业，推出了首款碳化硅（SiC）MOSFET系列产品。LSIC1MO120E0080是一款1200V、N通道的增强型SiC MOSFET。其无铅、无卤素，并且符合RoHS标准。
LSIC1MO120E0080具有超高切换速度，从而可提高效率和电源密度。其漏源标称电流值和漏源脉冲电流值较高，当TC=25℃，漏源标称电流ID=39A;当TC=100℃，漏源标称电流ID=25A；当TC=25℃漏源脉冲电流为80A，因此会有效降低电流击穿的风险，其脉冲宽度受最大工作结温的限制。
LSIC1MO120E0080温度承受能力超强，其工作结温和存储温度范围从-55℃到150℃，同时其焊接温度承受能力也超强，其焊接温度为260℃。更高的工作温度可确保器件在广泛的高温应用中更加可靠耐用。
LSIC1MO120E0080具有超低的导通电阻，RDS（ON）的典型值为80mΩ，导通电阻直接决定了MOSFET的导通损耗，RDS(ON)越大，损耗越大，MOSFET温升也越高。在较大功率电源中，RDS(ON)损耗占MOSFET整个损耗中较大比例。LSIC1MO120E0080的切换损耗低，有助于提高切换频率，其耗散功率为PD=179W。
LSIC1MO120E0080在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，其导通电阻、开关损耗大幅降低，因此LSIC1MO120E0080碳化硅（SiC）MOSFET在高频、高温、高压、高功率以及耐辐射的应用场合具有巨大的优势。另外，由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。LSIC1MO120E0080碳化硅（SiC）MOSFET实物图如图一所示。
图一 LSIC1MO120E0080碳化硅（SiC）MOSFET实物图
LSIC1MO120E0080的封装信息：
LSIC1MO120E0080的特点及优势:
•针对高频率，高效率的应用进行了优化
•极低的栅极电荷和输出电容
•用于高频开关的低栅极电阻
•在所有温度下正常关闭操作
•超低导通电阻
典型应用：
•高频应用
•太阳能逆变器
•开关模式电源
•UPS
•电机驱动器
•高压DC / DC转换器
•电池充电器
•感应加热
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用户18396822 Lv8 2018-04-13很好 -
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游来游去 Lv8. 研究员 2018-03-27学习 -
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用户_2354 Lv6 2018-01-30好东西 -
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墨菲 Lv5. 技术专家 2018-01-15学习了 -
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80分每天 Lv5. 技术专家 2018-01-09收下了 -
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海绵宝宝 Lv7. 资深专家 2018-01-09温度承受能力超强不错
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