【产品】PNP型和NPN型互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计
世界著名半导体公司Central Semiconductor（美国中央半导体公司）的2N6298/2N6299（PNP型）和2N6300/2N6301（NPN型）系列器件是由外延基板工艺制造的互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计。晶体管工作温度范围为-65℃至200℃，温度范围很宽，可以适应很多环境，大大提高了产品在各种环境中的稳定性和可靠性。此外，该晶体管还采用了TO-66封装，该中形式的封装有着很好的散热性。
图一：产品外观图
2N6298/2N6299（PNP型）和2N6300/2N6301（NPN型）系列互补硅达林顿功率晶体管，当IC=100mA (2N6298, 2N6300)时，击穿电压BVCEO为60 V，当IC=100mA (2N6299, 2N6301)时，击穿电压BVCEO 为80V，该系列晶体管不同型号有着不同的击穿电压。当集电极电流IC=4.0A, 基极电流IB=16mA 时，饱和电压VCE(SAT) 为2.0V，当集电极电流IC=8.0A, 基极电流IB=80mA 时，VCE(SAT) 3.0V，当集电极电流IC=8.0A, 基极电流IB=80mA时，VBE(SAT) 为4.0 V，由此可见在高增益状态下工作时，饱和电压不是很高。当集电极-发射极电压VCE=3.0V，集电极电流IC=4.0A时，导通电压VBE(ON) 为2.8V。当VCE=3.0V, IC=4.0A时，电流放大系数hFE为750至18K，当VCE=3.0V, IC=8.0A时，电流放大系数hFE为100，当VCE=3.0V, IC=3.0A, f=1.0kHz放大系数hfe为300。当VCE=3.0V, IC=3.0A, f=1.0MHz fT为4.0 MHz，即频率超过4.0 MHz时晶体管将不能正常工作。该系列最大额定值详见表一，作为参考帮助用户进行系统设计。
表一：最大额定值表
参数名称 | 符号 | 2N6298/2N6300 | 2N6299/2N6301 | 单位 |
集电极-基极电压 | VCBO | 60 | 80 | V |
集电极-发射极电压 | VCEO | 60 | 80 | V |
发射极-基极电压 | VEBO | 5.0 | V | |
持续集电极电流 | IC | 8.0 | A | |
峰值集电极电流 | ICM | 16 | A | |
持续基极电流 | IB | 120 | mA | |
功耗 | PD | 75 | W | |
操作和储存结温 | TJ，Tstg | -65至+200 | ℃ | |
热阻 | ΘJC | 2.33 | ℃/W | |
互补硅达林顿功率晶体管特征
· 封装：TO-66
· 工作温度范围：-65至+200℃
· 具有高增益
· 功耗最大为75W
互补硅达林顿功率晶体管应用
· 高增益放大器和中速开关应用
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型号- TIP112
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品牌：Central Semiconductor
品类：COMPLEMENTARY SILICON DARLINGTON POWER TRANSISTORS
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