【产品】PNP型和NPN型互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计

时间： 2018-12-03 来源：CENTRAL

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互补硅达林顿功率晶体管,NPN型互补硅达林顿功率晶体管,PNP型互补硅达林顿功率晶体管,达林顿晶体管

世界著名半导体公司Central Semiconductor（美国中央半导体公司）的2N6298/2N6299（PNP型）和2N6300/2N6301（NPN型）系列器件是由外延基板工艺制造的互补硅达林顿功率晶体管，专为高增益放大器和中速开关应用而设计。晶体管工作温度范围为-65℃至200℃，温度范围很宽，可以适应很多环境，大大提高了产品在各种环境中的稳定性和可靠性。此外，该晶体管还采用了TO-66封装，该中形式的封装有着很好的散热性。

图一：产品外观图

2N6298/2N6299（PNP型）和2N6300/2N6301（NPN型）系列互补硅达林顿功率晶体管，当I_C=100mA (2N6298, 2N6300)时，击穿电压BV_CEO为60 V，当I_C=100mA (2N6299, 2N6301)时，击穿电压BV_CEO为80V，该系列晶体管不同型号有着不同的击穿电压。当集电极电流I_C=4.0A, 基极电流I_B=16mA 时，饱和电压V_CE(SAT) 为2.0V，当集电极电流I_C=8.0A, 基极电流I_B=80mA 时，V_CE(SAT)3.0V，当集电极电流I_C=8.0A, 基极电流I_B=80mA时，V_BE(SAT) 为4.0 V，由此可见在高增益状态下工作时，饱和电压不是很高。当集电极-发射极电压V_CE=3.0V，集电极电流I_C=4.0A时，导通电压V_BE(ON) 为2.8V。当V_CE=3.0V, I_C=4.0A时，电流放大系数h_FE为750至18K，当V_CE=3.0V, I_C=8.0A时，电流放大系数h_FE为100，当V_CE=3.0V, I_C=3.0A, f=1.0kHz放大系数h_fe为300。当V_CE=3.0V, I_C=3.0A, f=1.0MHz f_T为4.0 MHz，即频率超过4.0 MHz时晶体管将不能正常工作。该系列最大额定值详见表一，作为参考帮助用户进行系统设计。

表一：最大额定值表

参数名称	符号	2N6298/2N6300	2N6299/2N6301	单位
集电极-基极电压	V_CBO	60	80	V
集电极-发射极电压	V_CEO	60	80	V
发射极-基极电压	V_EBO	5.0		V
持续集电极电流	I_C	8.0		A
峰值集电极电流	I_CM	16		A
持续基极电流	I_B	120		mA
功耗	P_D	75		W
操作和储存结温	T_J，T_stg	-65至+200		℃
热阻	Θ_JC	2.33		℃/W

互补硅达林顿功率晶体管特征

· 封装：TO-66

· 工作温度范围：-65至+200℃

· 具有高增益

· 功耗最大为75W

互补硅达林顿功率晶体管应用

· 高增益放大器和中速开关应用

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