【产品】808nm高功率VCSEL芯片,波长漂移0.07nm/℃,连续光功率可达500W
自2019年,新亮光子高功率的VCSEL取得突破性进展,VCSEL阵列的输出功率和能量得到显著提高,生产的高功率VCSEL阵列不断推陈出新。例如:2020年底,新亮光子自主设计制造了808nm 10W VCSEL裸芯片,阈值电流大幅度降低,通过制造大尺寸的T Mount阵列,连续光功率可高达500W VCSEL二极管,脉冲光功率可高达几千瓦,电光转换效率高达40.3%。
808nm 20W-200W,300-500W VCSEL
新亮光子808 nm VCSEL具有高功率密度与高峰值功率。结构紧凑、可便携性好、线宽窄、光束质量好等优点,发散角度小,能量集中,VCSEL的波长漂移0.07nm/℃,只有边发射激光EEL二极管(波长漂移0.3nm/℃)的四分之一,输出波长对温度的变化不敏感;垂直腔面面发射的结构使其可长时间运转而不致光学损伤,满足高可靠性要求。
808nm VCSEL二极管由于发光直径小、出射光斑为圆形,因此轻便易携。而且,VCSEL对温度不敏感,不需要非常精确的温控措施,采用风冷或强制水冷等简易温控措施,提高其工作的温度范围(-40~85℃)。从而广泛应用于例如车载类激光雷达、泵浦固态激光器、打标、激光加热等温度复杂多变的环境。
808nm VCSEL LD0808系列型号推荐表:
新亮光子还提供了808nm/850 nm/940 nm VCSEL芯片和二极管,连续光功率8mW-10W,脉冲模式下的光功率10W-100kW,由SMD、TO封装、TMount或多芯片封装,光电二极管PD、光电开关等。
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本文由郭昊旻转载自新亮光子,原文标题为:连续光功率数百瓦VCSEL-激光工业应用的未来,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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