【产品】808nm高功率VCSEL芯片，波长漂移0.07nm／℃，连续光功率可达500W

时间： 2021-08-25 来源：新亮光子

技术问答

自2019年，新亮光子高功率的VCSEL取得突破性进展，VCSEL阵列的输出功率和能量得到显著提高，生产的高功率VCSEL阵列不断推陈出新。例如：2020年底，新亮光子自主设计制造了808nm 10W VCSEL裸芯片，阈值电流大幅度降低，通过制造大尺寸的T Mount阵列，连续光功率可高达500W VCSEL二极管，脉冲光功率可高达几千瓦，电光转换效率高达40.3%。

808nm 20W-200W,300-500W VCSEL

新亮光子808 nm VCSEL具有高功率密度与高峰值功率。结构紧凑、可便携性好、线宽窄、光束质量好等优点，发散角度小，能量集中，VCSEL的波长漂移0.07nm／℃，只有边发射激光EEL二极管（波长漂移0.3nm／℃）的四分之一，输出波长对温度的变化不敏感；垂直腔面面发射的结构使其可长时间运转而不致光学损伤，满足高可靠性要求。

808nm VCSEL二极管由于发光直径小、出射光斑为圆形，因此轻便易携。而且，VCSEL对温度不敏感，不需要非常精确的温控措施，采用风冷或强制水冷等简易温控措施，提高其工作的温度范围（-40~85℃）。从而广泛应用于例如车载类激光雷达、泵浦固态激光器、打标、激光加热等温度复杂多变的环境。

808nm VCSEL LD0808系列型号推荐表：

新亮光子还提供了808nm/850 nm/940 nm VCSEL芯片和二极管，连续光功率8mW-10W，脉冲模式下的光功率10W-100kW，由SMD、TO封装、TMount或多芯片封装，光电二极管PD、光电开关等。

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本文由郭昊旻转载自新亮光子，原文标题为:连续光功率数百瓦VCSEL-激光工业应用的未来，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

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