【产品】UMS新款8.5~11.5GHz高功率放大器,输入功率20dBm时提供44dBm的饱和输出功率
UMS推出的CHA8212-99F是一款8.5~11.5GHz、25W输出功率的X波段高功率放大器,输入功率为20dBm时,提供44dBm饱和输出功率和36%功率附加效率。CHA8212-99F专为国防应用、广泛的微波应用和系统而设计。该产品电路采用UMS专有的GaN pHEMT工艺制造,栅极长度0.25µm。
主要特点
· 频率范围:8.5~11.5GHz
· 线性增益:34dB(3级放大)
· 输出功率:44dBm @20dBm输入功率
· 功率附加效率:36% @20dBm输入功率
· 直流偏置:28V @0.84A
· 裸芯片形式
性能曲线
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有容乃大 Lv9. 科学家 2021-04-22学习了
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zwjiang Lv9. 科学家 2021-04-01学习学习
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大黄蜂 Lv5. 技术专家 2021-03-23学习了
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UMS功率放大器(PA)选型表
UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品,频率最高可达105GHz,带宽超过20GHz,Gain(dB):10-38.5,Bias(mA):30-2300,Bias(V):2.5-30.
产品型号
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品类
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RF Bandwidth (GHz)min
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RF Bandwidth (GHz)max
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Gain(dB)
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IP3(dBm)
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P-1dB OUT(dBm)
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Sat. Output Power(dBm)
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PAE(%)
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Bias(mA)
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Bias(V)
|
Case
|
CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
|
17
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DC
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5
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DC
|
DC
|
115
|
2.5
|
Die
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选型表 - UMS 立即选型
CHA6354-QQA 27.5-30GHz 4W HPA,采用单刀双掷氮化镓单片微波IC,QFN封装
描述- 该资料详细介绍了CHA6354-QQA,一款27.5-30GHz频段,输出功率达4W的GaN高功率放大器。该放大器采用三阶GaN HEMT技术,内置SPDT开关,具有宽带性能、高线性度、低功耗等特点,适用于卫星通信上行链路和5G通信应用。
型号- CHA6354-QQA
【选型】L至Ka波段HPA最全选型的高功率放大器,频率覆盖2-40GHz
UMS是一家全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商,本文介绍了UMS的功率放大器,工作频率覆盖2-40GHz,饱和输出功率高达42.5dBm,该系列高功放的增益最高可达28dB,OIP3最大为45dBm、P-1dB最大为37.5dBm,这些都使它成为一款性能优异的高功率放大器。可广泛应用到高功率的射频系统中,例如无线通信基站,无线路由器,尤其适用于雷达系统中的信号源。
UMS CHA6015-99F数据手册
描述- 该资料介绍了CHA6015-99F是一款2-8GHz高功率放大器(HPA),采用pHEMT工艺制造,具有宽带性能、线性增益和较高的输出功率。适用于防御应用和各种微波应用系统。
型号- CHA6015,CHA6015-99F/00,CHA6015-99F
CHA6682-QKB 24-27.5GHz 4W线性功率放大器氮化镓单片微波集成电路,采用QFN封装
描述- 该资料介绍了UMS公司的CHA6682-QKB GaN Monolithic微波集成电路(MMIC),一款适用于VSAT、卫星通信、5G通信和雷达应用的宽带高功率放大器。该芯片具有高性能和高线性度,低功耗,内置射频功率检测器。
型号- CHA6682-QKB/XY,CHA6682-QKB
CHA7060-QAB 5.6-8.5GHz功率放大器:采用SMD无引线封装的氮化镓单片微波IC
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型号- CHA4350-QDG,CHA7060-QAB,CHA7060-QAB/XY
CHA8612-QDB 18W X波段高功率放大器单片SMD无引线氮化镓微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA8612-QDB是一款工作在7.9至11GHz频段的18W X-Band高功率放大器。它采用GaN HEMT工艺制造,具有宽带性能、高输出功率和高效率等特点,适用于军事和商业雷达及通信系统。
型号- CHA8612-QDB/XY,CHA8612-QDB,CHA8612-QDB/21,CHA8612-QDB/20
CHA8312-99F 17W X波段高功率放大器氮化镓单片微波集成电路数据表
描述- 该资料介绍了CHA8312-99F是一款工作在8-12GHz频段的17W高功率放大器,采用GaN Monolithic Microwave IC技术。该器件提供超过26dB的小信号增益和50%以上的功率附加效率(PAE),适用于雷达、测试设备和通信系统等微波应用。
型号- CHA8312-99F/00,CHA8312-99F
裸片形式的CHA8362-99F 27.5-31GHz 25W高功率放大器氮化镓单片微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA8362-99F是一款工作在26.5至31GHz频率范围内的25W高功率放大器。它采用GaN-on-SiC HEMT工艺制造,提供典型的25W饱和输出功率和30%的功率附加效率。该放大器具有超过25dB的小信号增益,适用于卫星通信和其他微波应用。
型号- CHA8362-99F/00,CHA8362-99F
【产品】8.5-11.5GHz三级GaN大功率放大器Al1908,可提供25W输出功率,专用于国防应用
UMS公司研制了一种频率为8.5-11.5GHz的三级GaN大功率放大器Al1908。这种高功率放大器通常提供25W的输出功率,相当于37%的功率附加效率。小信号增益大于30dB。总电源为28V/0.5A(静态电流)。该电路是一种适用于高性能系统的多功能放大器。该电路专用于国防应用,也非常适合广泛的微波应用和系统。
【产品】15W超高输出的双级高功率放大器,拥有24dB线性增益
UMS推出的CHA8610-99F系列双级高功率放大器,频率范围为8.5~11GHz。其线性增益高达24dB,拥有超高线性度的优点,频率响应曲线好,具有低失真度的特性。功率附加效率为40%,输出功率为15W,直流偏压为30V,可保证放大器工作在线性范围。其工作温度范围在-40℃~85℃,存储温度范围在-55℃~150℃,结温为230℃,具有更高的使用安全性。可用于从军事到商业通信系统的广泛应用。
CHA7455-99F 9W 39-43.5GHz高功率放大器氮化镓单片微波集成电路
描述- 该资料介绍了CHA7455-99F是一款工作在39至43.5GHz频率范围内的四级高功率放大器,采用GaN-on-SiC HEMT工艺制造。其主要特点是提供9W饱和输出功率和25%的功率附加效率,适用于空间、军事和电信应用。
型号- CHA7455-99F,CHA7455-99F/00
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