【产品】60V/500mA N沟道增强型MOSFET 2N7002，采用高密度单元设计实现超低导通电阻
辰达行（MDD）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET 2N7002，采用高密度单元设计实现超低导通电阻，并提供坚固耐用、可靠的快速开关性能。漏源导通电阻RDS(on)为1.1Ω @ 10V ，1.3Ω @ 4.5V，漏源击穿电压V(BR)DSS为60V，漏极连续电流ID为500mA。
2N7002的封装和等效电路
产品特征
●采用高密度单元设计实现超低导通电阻
●电压控制的小信号开关
●高饱和电流能力
产品应用
●便携式设备的负载开关
●DC/DC转换器
最大额定值（Ta=25°C，除非另有说明）
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小功率MOS产品型号和印字变更通知
型号- 2N7002,BSS123,SI2310,AO3407,MDD2306,AO3401,MDD2305,MDD3415,AO3404,MDD2302,MDD2301,MDD2300,AO3400,BSS84,2N7002K,SI2305,SI2306,BSS138,SI2301,SI2302,SI2300,MDD3407,MDD3404,AO3415,MDD3401,MDD3400,MDD2310,SI2301S
辰达行MOS管选型表
提供辰达行MOS管选型，产品为SOT-23封装形式，覆盖VBR(DSS)(V)范围：-50~+100；ID(A)范围：-4.8~+6；PD(W)：+0.225~+1.56，适用于网络通讯设备， 消费类电子产品， 安防设备， 汽车电子， 工业电源， 充电柱， 表计， LED照明， 物联网等领域。
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产品型号
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品类
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PD(W)
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ID(A)
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VBR(DSS)(V)
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RDS (ON)(MAX)(Ω)
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RDS (ON)(MAX)ID(A)
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RDS (ON)(MAX)VGS(V)
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VGS (th)(V)
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VGS (th)(V)ID(uA)
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GFS(S)
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GFS VDS(V)
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Package
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BSS138
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MOS管
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0.3
|
0.5
|
50
|
2
|
0.5
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10
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1.5
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0.25
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100
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10
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SOT-23
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选型表 - 辰达行 立即选型
【技术】MOS管的特性、作用及应用领域
MOS管是一种应用场效应原理工作的半导体器件，MOS管具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大、功耗小、易于集成等优势，本文将介绍MOS管的特性、作用及应用领域，并推荐几款辰达行的MOS管产品，
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型号- MDD7N65F,MDD7N65D,MDD7N65P
MDD12N65F/MDD12N65P 650V N-Channel Enhancement Mode MOSFET（TO-220F-3L/TO-220-3L）
型号- MDD12N65F,MDD12N65P
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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