【产品】200V N沟道功率MOSFET RM130N200T7、RM130N200T2、RM130N200HD
丽正国际推出的 200V N沟道功率MOSFET，型号分别为RM130N200T7，RM130N200T2，RM130N200HD，导通电阻分别为：8.7mΩ，9.4mΩ，9.1mΩ。功率MOSFET开关的极限参数如下：漏极连续电流为132A，漏极-源极电压为200V，栅极-源极电压为±20V，漏极脉冲电流为370A，耗散功率为429W，热阻RθJC为0.35℃/W，热阻RθJA为60℃/W，工作和存储温度为-55℃ ~ +175℃。
输入电容典型值4970pF，输出电容典型值为420pF，反向传输电容典型值7.5pF。导通延时典型值为16ns，上升时间典型值为22ns，关断延时典型值为38ns，下降时间典型值为10ns。
下图1为产品外形和电路符号。
图1 产品外形和电路符号
主要特征：
高速功率开关；
增强二极管dv/dt 能力；
100% UIS全测试；
增强雪崩能力；
引脚无铅电镀
应用领域：
电源同步整流；
硬开关和和高频电路；
电动工具；
UPS不间断电源；
马达控制器
封装尺寸共三种，详细尺寸见产品规格书，建议设计时根据生产工艺适当调整尺寸，有助于提高生产效率和保证焊接质量。
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EEric Lv7. 资深专家 2019-10-16赞 -
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学习 Lv4. 资深工程师 2019-10-16学习收藏 -
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maomao Lv8. 研究员 2019-10-16支持下~~~ -
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cold斌 Lv7. 资深专家 2019-10-16学习一下
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