【产品】100V/108A的N沟道超沟槽功率MOSFET NCEP01T11，可提供最高效的高频开关性能
N沟道超沟槽功率MOSFET NCEP01T11是NCE推出的一款采用超级沟槽技术的N沟道功率MOSFET，无铅产品，可以提供最高效的高频开关性能。得益于RDS(ON) 和Qg的极低组合，该器件的导通和开关功率损耗都被最小化，是高频开关和同步整流的理想选择。
一般特性
VDS=100V，ID=108A
漏源导通电阻RDS(ON)=5.7mΩ（典型值）@VGS=10V
优秀的FOM产品：Qg×RDS(on)
非常低的漏源导通电阻RDS(ON)
最高工作温度175℃
无铅电镀
100% UIS测试
100% ΔVds测试
应用
DC/DC转换器
高频开关和同步整流的理想选择
绝对最大额定值参数（TC=25℃，除非特别说明）:
电气参数(TC=25℃，除非特别说明)
注：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.表面贴装在FR4板，t≤10s
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.由设计保证，不受产品限制
5.EAS条件：Tj=25℃，VDD=50V，VG=10V，L=0.5mH，Rg=25Ω
封装标识及订购信息
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NCE（新洁能）MOSFET 选型表
NCE（新洁能）为电路设计师们提供全面的产品选择，击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品（产品名称后加标C）其有效降低了栅极电荷（Qg），尤其是栅极漏极间的电荷（Qgd），从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端，新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode，在提高和加快反向续流能力的同时，降低反向恢复过程中的峰值电流（Irm）和电压（Vrm）。推出的TO-220H封装外形（产品名称后加标H），有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率，并大大降低成本，可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。
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产品型号
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品类
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封装/外壳/尺寸
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车规级/工业级
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Technology
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Polarity
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BVDSS(V)
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ID(A)
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VTH(V)
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RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
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RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
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VGS(th)(V)
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CISS(pF)
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QG(nC)
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PD(W)
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NCE12P09S
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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
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SOP-8
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工业级
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Trench
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P
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-12
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-9
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-0.7
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11.5
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18
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14
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22
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±12
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2700
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35
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2.5
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选型表 - NCE 立即选型
NCEP6090AGU NCE N沟道超级沟槽功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEP6090AGU这款N沟道超深槽功率MOSFET。它采用独特的Super Trench技术，提供高效的开关性能，具有极低的导通和切换损耗。适用于高频开关和同步整流。
型号- NCEP6090AGU
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型号- HMS45N04Q
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型号- NCEP0135AK
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型号- NCEAP016N60VD
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型号- NCEAP40ND80AG
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型号- NCEP15T18T
NCEAP035N85GU NCE汽车级N沟道超级沟道II功率MOSFET
描述- 该资料介绍了NCEAP035N85GU汽车级N通道超深沟槽II型功率MOSFET。采用Super Trench II技术，提供高效高频开关性能，具有低导通和切换损耗。适用于汽车应用、DC/DC转换器和高频开关及同步整流。
型号- NCEAP035N85GU
电子商城
品牌：NCE
品类：Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFET
价格：￥1.9070
现货： 0
品牌：NCE
品类：Automotive N-Channel Super Trench Power MOSFET
价格：￥12.0000
现货： 0
现货市场
服务
可支持TI AM335x/AM5718 和NXP iMX6/iMX8芯片定制核心板和计算单板；支持NXP iMX6核心模组X / F / H系列、TI AM335x核心模组X / N / H系列，与兼容的底板组合定制单板计算机。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
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