【经验】一文解析6大原因导致MOS管失效
本文杜因特为工程师整理6大原因导致MOS管失效，导致MOS管失效原因有雪崩失效、SOA失效、体二极管失效、静电失效、栅极电压失效、谐振失效等。
1、雪崩失效
电压失效，MOS管工作时，VDS电压长时间超过MOS管的标称电压后，导致MOS管失效的现象叫雪崩失效，也叫电压击穿
预防办法
l MOS管选型时，耐压要留足的余量
l 加吸收电路，吸收过高的VDS尖峰
l PCB布线时，尽量缩短，减小寄生电感
l 选择合理的驱动电阻，兼顾开关速度
2、SOA失效
属于电流失效的范围，高电压和大电流同时加在MOS管上面，导致MOS管表面温度瞬间升高，超出了MOS管正常工作的 温度范围（150度），导致MOS管内部结构损坏。
预防办法
l 选型时，提高电流余量尽量选用封装体积大的MOS管MOS管尽量加散热器，改善散热条件，降低器件的工作文度。
l 产品设计时，需要注意过流和过载环路的反应时间，避免反应超时导致SOA失效。
3、体二极管失效
在半桥 全桥，同步整流电路中会存在MOS管的体二极管恢复问题，如果恢复时间过长，会导致MOS管失效。
预防办法
l 选用恢复时间较小的MOS管
l 优化设计电路
4、静电失效
MOS管栅极由一层极薄的二氧化硅薄膜构成，很容易因静电引起的栅极高压而击穿。
预防办法
l 制程中 注意静电防控，作业人员要带静电环，相关设备需要接地。
l MOS管运输储藏过程，需要用防静电袋。
5、栅极电压失效
MOS管的栅极电压范围一般是正负20v、或者正负30v，超出后极易导致MOS管栅极损坏。
预防办法
l 建议在设计时加稳压管
l 在有栅极驱动变压器驱动的电路中需要注意驱动电压的变化，以防超出MOS管栅极的安全工作电压范围。
6、谐振失效
谐振即为自激震荡，可以导致MOS管工作频率很高。
预防办法
l PCB布线时，走线需要尽量短，尤其是MOS管驱动信号线。
l 驱动回路中串联电阻，以增大阻尼。
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
SC009NG-S N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了SC009NG-S型N通道MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术设计，提供优异的RDS(on)和低栅极电荷。它适用于多种应用。
型号- SC009NG-S
【产品】杜因特推出N型沟道MOS场效应管DC003NG-E，采用先进的沟槽技术，具有优良的漏源导通电阻及低栅级电荷特性
杜因特推出N型沟道MOS场效应管DC003NG-E，此N型沟道MOS场效应管采用先进的沟槽技术，具有优良的漏源导通电阻及低栅级电荷特性，采用优良散热封装，运用广泛。
FC009NG N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了N-通道MOSFET的特性，包括其低导通电阻（RDS(on)）、低栅极电荷、高电场击穿电压和高连续漏电流。该器件采用先进的沟槽技术设计，适用于多种应用。
型号- FC009NG
【产品】N沟道MOS管DC025NG-L漏源电压30V，连续漏极电流25A
杜因特推出的N沟道MOS管DC025NG-L采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(on)和低栅极电荷特性。该器件采用TO-252封装，可提供良好的散热性能。该器件适用于多种应用，支持绿色环保。
UE030NG-H N沟道MOSFET\n
描述- 该资料介绍了N-Channel MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的技术规格和应用。它采用了先进的沟槽技术设计，提供优异的RDS(on)和低栅极电荷，适用于多种应用。
型号- UE030NG-H
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杜因特推出的P沟道MOS管DC033PG采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的RDS(on)和低栅极电荷特性。该器件适用于多种应用。
ZC010NG-B N沟道MOSFET\n
描述- 该资料详细介绍了ZC010NG-B型N沟道MOSFET的特性。它采用先进的沟槽技术，以降低导通电阻，提供卓越的开关性能和承受高能脉冲的能力。这些器件适用于高效快速切换应用。
型号- ZC010NG-B
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SC008NG N沟道MOSFET
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型号- SC008NG
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型号- DO2310D
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
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授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
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授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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