【经验】一文解析6大原因导致MOS管失效
本文杜因特为工程师整理6大原因导致MOS管失效，导致MOS管失效原因有雪崩失效、SOA失效、体二极管失效、静电失效、栅极电压失效、谐振失效等。
1、雪崩失效
电压失效，MOS管工作时，VDS电压长时间超过MOS管的标称电压后，导致MOS管失效的现象叫雪崩失效，也叫电压击穿
预防办法
l MOS管选型时，耐压要留足的余量
l 加吸收电路，吸收过高的VDS尖峰
l PCB布线时，尽量缩短，减小寄生电感
l 选择合理的驱动电阻，兼顾开关速度
2、SOA失效
属于电流失效的范围，高电压和大电流同时加在MOS管上面，导致MOS管表面温度瞬间升高，超出了MOS管正常工作的 温度范围（150度），导致MOS管内部结构损坏。
预防办法
l 选型时，提高电流余量尽量选用封装体积大的MOS管MOS管尽量加散热器，改善散热条件，降低器件的工作文度。
l 产品设计时，需要注意过流和过载环路的反应时间，避免反应超时导致SOA失效。
3、体二极管失效
在半桥 全桥，同步整流电路中会存在MOS管的体二极管恢复问题，如果恢复时间过长，会导致MOS管失效。
预防办法
l 选用恢复时间较小的MOS管
l 优化设计电路
4、静电失效
MOS管栅极由一层极薄的二氧化硅薄膜构成，很容易因静电引起的栅极高压而击穿。
预防办法
l 制程中 注意静电防控，作业人员要带静电环，相关设备需要接地。
l MOS管运输储藏过程，需要用防静电袋。
5、栅极电压失效
MOS管的栅极电压范围一般是正负20v、或者正负30v，超出后极易导致MOS管栅极损坏。
预防办法
l 建议在设计时加稳压管
l 在有栅极驱动变压器驱动的电路中需要注意驱动电压的变化，以防超出MOS管栅极的安全工作电压范围。
6、谐振失效
谐振即为自激震荡，可以导致MOS管工作频率很高。
预防办法
l PCB布线时，走线需要尽量短，尤其是MOS管驱动信号线。
l 驱动回路中串联电阻，以增大阻尼。
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
杜因特MOS管选型表
杜因特提供MOSFET管的以下参数选型，VDSS(V)：-200~900，ID(A)25℃：-140~500，多种封装TO-252，TO-220S，TO-220R，TO-247S等。
|
产品型号
|
品类
|
Package
|
Technology
|
Schottky
|
N/P
|
VDSS(V)
|
ID(A)25℃
|
RDS(ON)(MΩ)4.5V(TYP)
|
RDS(ON)(MΩ)4.5V(MAX)
|
RDS(ON)(MΩ)2.5(TYP)
|
RDS(ON)(MΩ)2.5V(MAX)
|
VGS(V)(MAX)
|
VGS(TH)(V)L
|
VGS(TH)(V)H
|
Ciss(pF)(TYP)
|
Qg nC(TYP)
|
@VGS(V)
|
|
DB006NG-B
|
MOSFET
|
TO-252
|
Trench
|
N
|
N
|
20
|
60
|
4.5
|
6
|
7
|
10
|
12
|
0.5
|
1
|
1820
|
25
|
4.5
|
选型表 - 杜因特 立即选型
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杜因特推出的N沟道MOS管BC022NG，器件采用先进的沟槽技术和设计，具有出色的漏源导通电阻RDS(on)和低栅极电荷特性，采用先进的TO-263外壳封装，可提供良好的散热性能，适用于多种应用。
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