【选型】智能头盔信号线ESD防护推荐双向ESD保护二极管XE2FLC5VB,0.3pF低电容,±12kV接触防护能力
智能头盔是一款具有语音采集、视频图像采集、数据传输能力的新型设备,其信号传输一般需要通过USB2.0 HUB芯片1拖4、USB3.0 HUB芯片1拖2扩展实现,为避免人体接触放电对传输信号线造成影响,通常需要在USB数据传输信号线上加抗ESD防护器件,选型因素参考如下:
1、 小体积:因为智能头盔整个PCB板空间有限,对选择的电子器件有小尺寸要求;
2、 高抗ESD能力:至少满足IEC61000-4-2 ESD ±8kV Air/±15kV Contact;
3、 低结电容Cj:该值越低越好,对传输的高速信号线影响越小,建议选择小于1pF以下的结电容;
针对如上的需求,本文推荐选择矽航(XI HANG)低电容双向ESD保护二极管XE2FLC5VB,采用DNF1006-2L封装,最大反向工作电压VRWM为5V,典型结电容Cj为0.3pF,可承受峰值脉冲电流Ipp为5A,相关电性参数参考如下图1所示。
图1:矽航(XI HANG)低电容双向ESD保护二极管XE2FLC5VB相关电性参数
推荐理由如下:
1、采用DFN1006-2L小尺寸封装,典型封装尺寸1.0x0.6mm,满足空间结构有限的小型化设计需求;
2、XE2FLC5VB可用于根据IEC61000-4-2提供高达±12kV接触和±18kV空气放电的ESD保护,具有出色的抗ESD能力;
3、XE2FLC5VB可用于根据IEC61000-4-5承受高达5A(8/20μs)的峰值脉冲电流,具有高的抗雷击浪涌测试能力;
4、市场上有成熟的应用设计,产品性能得到验证。
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整体外形尺寸小至0.6*0.3*0.3mm (DFN0603),工作电压范围覆盖2.5V~36V,电容值低至0.2pF,浪涌能力最高可达240安培,静电等级可达空气放电、接触放电±30KV。提供免费浪涌测试仪、静电测试仪测试。
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