【产品】-20V/-5A P沟道高级功率MOSFET RU20P7C,漏源导通电阻最大为38mΩ

2022-05-11 锐骏半导体
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锐骏半导体推出采用SOT23-3封装的P沟道高级功率MOSFET RU20P7C,漏源电压为-20V,TA=25℃时连续漏极电流为-5A(VGS=-4.5V)。

产品外观和示意图

特点:

    漏源电压-20V,连续漏极电流-5A

    RDS(ON)=20mΩ(典型值)@VGS=-4.5V

    RDS(ON)=30mΩ(典型值)@VGS=-2.5V

    低导通电阻

    超高密度单元设计

    坚固可靠

    无铅和器件绿色环保(符合RoHS)


应用:

    负载开关

    电源管理

    电池保护


最大额定参数:

电气特性(TA=25℃,除非特别说明):

订购和标记信息:

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
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选型指南  -  锐骏半导体  - 2019/07/10 PDF 英文 下载

深圳锐骏半导体股份有限公司(Ruichips)公司简介

型号- RU3070L,RUH40130M,RU4090L,RUH60100M,RU60E5D,RUH3051M2,RUH110N90M,RU65R160M,RU205B,RUH30200M-C,RU40L10H,RU6080L,RU6888S,RUH30120M,RU8205G,RU6888R,RU6888M,RUH1H150S,RUH1H150R,RUH1H80M,RUH3051M,RUH1H80R,RUH85210S,RUH40140M,RU65R740L,RUH115N90M,RUH4040M2,RU2020H,RUH30100M,RU2060L,RU40L10L,RU3020H,RU65R360M,RU65R340P,RU207C,RU65R450M,RU8590R,RU8590S,RU3089M-C,RUH30120M-C,RU6070L,RU8205C6,RU6050L,RUH6088M,RUH30150M,RUH120N90M,RUH4060L,RUH4080M,RUH40P40BM2-R,RU7570L,RU60D10H,RU20P7C,RU65R260M,RU20P3B

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