专业碳化硅功率器件供应商——即思创意(Fast SiC)
产品亮点:
碳化硅肖特基二极管 (650V SiC Schottky Rectifiers)
● 拥有超低电容电荷 (1nC/A), 可降低切换损耗,适用于高频操作
● 提供市场最佳的效率性能参数(VF*Qc=15[V*nC]@IF=8A)
碳化硅MOS管 (650V SiC MOSFET)
● 拥有超低输出电容电荷(Qoss最低达3.7nC,Co(tr)最低达9pF),数值与氮化镓(GaN)相当,且仅有硅超结MOSFET的1/10
● 耐受雪崩能量 (EAS, Avalanche Energy) 达硅超结MOSFET的5倍以上
● 短路电流耐受能力达氮化镓的1000倍以上
● 具有低导通电阻及备优异的电磁干扰、电磁兼容特性 (EMI/EMC) ,最低可以比 Super-Junction 低 20dB
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