【产品】1700V的N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，采用TO-247-3封装
派恩杰推出的1700V N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，符合RoHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3，具有高阻断电压，低导通电阻，工作结温范围为-55℃ 至 +200 ℃，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC/DC转换器等领域。
图1 产品实物图
图2 产品原理图
特点
-高阻断电压，低导通电阻
-高频工作
-超小Qgd
-经过100％UIS测试
优点
-提高系统效率
-提高功率密度
-减少散热器需求
-节省系统成本
应用
-太阳能逆变器
-电动汽车电池充电器
-高压DC / DC转换器
-开关电源
最大额定值（除非另有说明，否则在TJ = 25℃时）
尺寸图
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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