【产品】1700V的N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，采用TO-247-3封装
派恩杰推出的1700V N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3，符合RoHS标准，无卤素，封装采用TO-247-3，具有高阻断电压，低导通电阻，工作结温范围为-55℃ 至 +200 ℃，可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本。可应用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器，高压DC/DC转换器等领域。
图1 产品实物图
图2 产品原理图
特点
-高阻断电压，低导通电阻
-高频工作
-超小Qgd
-经过100％UIS测试
优点
-提高系统效率
-提高功率密度
-减少散热器需求
-节省系统成本
应用
-太阳能逆变器
-电动汽车电池充电器
-高压DC / DC转换器
-开关电源
最大额定值（除非另有说明，否则在TJ = 25℃时）
尺寸图
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由赚钱养太阳翻译自派恩杰，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】派恩杰推出国内首款1700V SiC MOSFET，大幅减少辅助开关电源成本
派恩杰半导体（杭州）有限公司推出国内首款1700V/3Ω的SiC MOSFET P3M173K0K3，最大漏极电流为2.7A。该产品针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds(on)，使得其广泛适用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计。
【产品】650V/TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，符合AEC-Q101标准
P3M06040K4/P3M06060K4是派恩杰推出的两款漏源电压650V，TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET，无卤素，符合RoHS标准。产品通过了100%UIS测试，符合AEC-Q101标准，适用于太阳能逆变器，电动汽车电池充电器等。
【产品】采用TO-220-3封装的增强型N沟道碳化硅场效应晶体管P3M06300T3，漏源电压为650V
P3M06300T3是派恩杰推出的一款增强型N沟道碳化硅场效应晶体管（SiC MOSFET），具有高频工作，低通态电阻和超低Qgd等特性，满足RoHS和无卤要求，可用于太阳能逆变器，开关电源等应用。
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。
派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
P3M12020K4 N沟道增强型SiC MOSFET
描述- 该资料详细介绍了PNJ半导体公司生产的P3M12020K4型号SiC MOSFET的特性、电气参数、应用领域和订购信息。该MOSFET适用于高电压、高频率应用，具有低导通电阻和高压阻断特性。
型号- P3M12020K4
派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表
派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃
|
产品型号
|
品类
|
Blocking Voltage(V)
|
Package
|
RDS(ON) @25℃(mΩ)
|
Current Rating(A)
|
Qgd(nC)
|
Output Capacitance(pF)
|
Max Junction Temperature(℃)
|
|
P3M06025K3
|
碳化硅场效应管
|
650V
|
TO247-3
|
25mΩ
|
97A
|
34.7nC
|
297pF
|
175℃
|
选型表 - 派恩杰 立即选型
P3M06035G7 N沟道增强型SiC MOS
描述- 该资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M06035G7型号SiC MOSFET的特性、参数和应用。该产品适用于高电压直流/直流转换器和开关模式电源等应用，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作等特点。
型号- P3M06035G7
P3M06060L8 N沟道增强型SiC MOS
描述- 该资料详细介绍了PNJ半导体公司生产的P3M06060L8型号SiC MOSFET器件。该器件具有高阻断电压和低导通电阻的特点，适用于高频操作，具有超小Qgd和100% UIS测试。主要优点包括提高系统效率、增加功率密度、减少散热器需求以及降低系统成本。主要应用领域包括太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压DC/DC转换器和开关电源。
型号- P3M06060L8
N沟道增强型SiC mOS P3m12025K4
描述- 本资料介绍了PNJ半导体公司的P3M12025K4 SiC MOSFET器件。该器件是一款N沟道增强型碳化硅场效应晶体管，具有高阻断电压、低导通电阻和高频操作等特点。它适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压直流/直流转换器和开关电源等领域。
型号- P3M12025K4
P3M06035K4 N沟道增强型SiC MOS
描述- 本资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M06035K4型号SiC MOSFET，这是一种N沟道增强型SiC MOSFET。该产品具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作、超小Qgd等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压DC/DC转换器和开关模式电源等应用。
型号- P3M06035K4
P3M173K0K3 SiC MOS N沟道增强模式
描述- 该资料详细介绍了PNJ半导体公司生产的P3M173K0K3型号碳化硅（SiC）MOSFET的特性。文档涵盖了最大额定值、电气特性、反向二极管特性、热特性和典型性能等方面，并提供了应用信息和订购信息。
型号- P3M173K0K3
P3M12040K4 N沟道增强型SiC MOS
描述- 该资料详细介绍了PNJ公司生产的P3M12040K4型号SiC MOSFET器件。该器件属于N沟道增强型，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作、超小Qgd等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电器、高压DC/DC转换器和开关模式电源等应用。
型号- P3M12040K4
HC3M0032120D SiC功率MOSFET N沟道增强模式
描述- 该资料介绍了华为阳电子有限公司生产的HC3M0032120D型碳化硅（SiC）增强型N通道功率MOSFET。该器件采用第三代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、快速体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、电动汽车驱动器、高压直流/直流转换器和开关电源等领域。
型号- HC3M0032120D
派恩杰携自研功率器件产品出席CPEEC＆CPSSC 2023，分享800V电压平台车规级器件技术与发展趋势
2023中国电力电子与能量转换大会暨中国电源学会第二十六届学术年会及展览会（CPEEC ＆ CPSSC 2023）于2023年11月10-13日在广州召开。派恩杰应邀出席，半导体应用主任工程师雷洋博士在大会做专题工业报告——《面向800V电压平台的车规级碳化硅功率器件技术现状与发展趋势》。此外，派恩杰半导体也在现场展示最新技术及应用成果，展位号：三楼 3-015。
电子商城
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论