【经验】SiC MOSFET的驱动特性及优化
SiC MOSFET(碳化硅MOSFET)以低导通电阻、低开关损耗、高开关频率、高工作结温等优势称为工业界的"明日之星",但是相对于传统硅基器件,碳化硅器件需要优化相应的外部驱动,以发挥其优异的性能。那碳化硅MOSFET的驱动电路需要注意哪些地方?本文中,国产品牌美浦森将进行具体分析。
1、跨导gm (gm=ΔID/ΔVGS)
下面是28A 碳化硅MOS管的I-V曲线,蓝色曲线是硅基MOSFET的输出曲线中的一根。
由图片可见,硅基 MOSFET在启动区曲线有着很大的斜率,而在饱和区时却很平坦,意味着当VGS>Vth的时候都会经历一个很高的增益,也就是很大的跨导gm;而通过碳化硅MOSFET的I-V曲线看出,启动区和饱和区并没有明显的过渡,使得碳化硅MOS管看起来更像一个可变的电阻,跨导变化较低。
ID=gm*(VGS-Vth)
VGS的较小变化不会引起很大的电流变化,所以碳化硅MOS管被认为是低跨导的器件。
为了补偿较低的跨导,使电流ID发生较大的变化,同时降低导通电阻RDSon,需要使用更高的栅极电压VGS。所以常见的碳化硅MOS管采用的驱动电压都是18~20V,较低的驱动电压会导致较大的损耗,工作状态不佳,容易造成发热并失效,这个和IGBT类似。
2、导通电阻RDSon(相同电压下,碳化硅单位面积的导通电阻比硅要低)
对于碳化硅MOSFET的导通电阻构成见上图。最主要的是沟道电阻Rch、JFET电阻RJFET和漂移层电阻Rdrift。其中Rch具有负温度系数(NTC),在VGS较低时占主导地位;而RJFET和Rdrift具有正温度系数(PTC),在VGS较高时占主导地位。硅基MOSFET在VGS大于Vth时一直表现为正温度系数,正温度系数利于并联,所以如果在需要并联的应用场合中,特别要注意驱动电压VGS,要选得足够大,否则会呈现负温度系数。当然,因为跨导的原因,碳化硅MOSFET也需要更大的驱动电压了。
3、栅极驱动电阻Rg,Qg,Vth
选择合适的Rg无论对于硅基还是碳化硅来说都是至关重要的,Rg太大了会拖慢开关速度从而增加开关损耗,引起发热。但选择太小的Rg又容易因为过高过快的开关速度从而引入较大的电压变化率dv/dt和电流变化率di/dt,从而引发振荡以及串扰(如米勒效应导致的误触发导通等)。所以在满足器件安全可靠的工作前提下,尽可能小的选择驱动电阻Rg。
上图是某型号碳化硅MOSFET的Qg曲线,相对于硅基 MOSFET来说,碳化硅的米勒平台出现时的VGS较大;同时在VGS=0V时,Qg并不为0,所以必须将VGS拉低至负压,使得碳化硅MOSFET的栅极完全放电。几乎所有的碳化硅MOSFET驱动电压的负压都不高于-5V(-8V和-10V比较常见)。同时,必须负压还有一个很重要的因素--Vth。碳化硅MOSFET的阈值电压Vth,其对温度的依赖性很高,随着温度的升高反而下降,Vth很容易就变得很小,如果仅用0V来关断,很容易受到干扰而误导通。
上面是碳化硅MOSFET较为特别的几个参数,根据这些参数,碳化硅MOSFET驱动电路的设计和优化有下面几点建议:
1、一般情况下,-5V<VGS<20V的范围能够发挥碳化硅MOSFET的性能,那么提供驱动电压的电源最好能够满足VDD=25V,VEE=-10V,才能够覆盖更广泛的碳化硅型号。
2、VGS电压必须有较快的上升沿和下降沿。
3、需要有最小正负电压的欠压锁定(现在的驱动芯片功能份足选择性也多)。
4、和硅基器件一样,需要有各种保护电路,过电流、短路、钳位等保护功能。
5、对于整个回路的布线尽可能地减小杂散电感,由于较快的开关速度,相对于硅基的要求更高,要求杂散电感尽可能小。
美浦森半导体成立于2008年,总部位于深圳市南山区,在韩国富川,深圳均设有研发中心。是一家集研发、设计、生产、销售和服务为一体的完整型产业链公司,国家级高新企业。公司产品包括中大功率场效应管,SiC 二极管、SiC MOSFET等系列产品。目前美浦森半导体量产的碳化硅MOS产品如下表,欢迎各位读者做进一步了解。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由seven转载自美浦森,原文标题为:碳化硅MOSFET的驱动特性及优化,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【经验】采用TO-247-4封装的碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性
在实际应用中,基本半导体发现带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件,它可以进一步降低器件的开关损耗,也更有利于分立器件的驱动设计。
TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管脚的必要性
引入了辅助源极管脚成为TO-247-4封装的碳化硅MOSFET,避免了驱动回路和功率回路共用源极线路,实现了这两个回路的解耦。同时,TO-247-4封装的开关器件由于没有来自功率源极造成的栅极电压衰减,使得碳化硅MOSFET(TO-247-4封装)的开关速度会比TO-247-3封装的更快,开关损耗更小。
技术浅谈:简析IGBT工作时序及门极驱动计算方法
本篇文章简单介绍IGBT工作时序及门极驱动计算方法,引入大电流驱动IC以及门极保护TVS,同时罗列了不同品牌碳化硅MOSFET所耐受驱动电压,借此介绍非对称TVS新产品的实用性。
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效,宽耐压,开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微,爱仕特,派恩杰,瞻芯电子,中电国基南方,带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品,最高1700V宽耐压,开关损耗降低50%。
美浦森半导体 超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型表
目录- SJ MOSFET HV MOSFET VD MOSFET SIC Diode SIC MOSFET
型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SLF60R180E7D,SLF80R380SJ,SLH60R070E7,SLD100N03T,SLD70R310S3,SLD5N50S2,SLF10N70S,SLM100N03T,SLF65R380E7,SLD70R600S3,SLS30L03T,SLF10N65C,SLF10N65A,SLD2N65S,SLF80R240SJ,SLD65R280E7,SLF14N60S,SLN30N03T,SLF18N50S,SLF12N65S,SLF3101,MSH060065M1,SLF70R500S3,SLF10N65S,SLN40N04G,SLM65R380E7,SLF18N50A,SLF18N50C,SLF12N65C,SLF12N65A,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLD20N06T,SLF16N50S,SLF70R360S3,SLD80N06T,MS2H20120G1,MSD05120G1,SLF65R565SS,MSD02065G1,SLF20N60S,SLF5N60S,MS2TH60065G1,SLF16N50C,SLF60R380E7,SLD60N04T,MSP08065G1,SLD20N10T,SLP150N06T,MSH20120G1,SLP80N08T,SLF5N60C,SLF18N60S,MSP02065G1,SLF70R310S3,SLF60R070E7,MSK040120M1,SLFT0R600S3,SLL65R170E7,MS2H32120G1,MSK060065M1,MSM06065G1,SLD80R500SJ,SLD840U,MSP04065G1,MS2H40120G1,MSD10120G1,MSF10120G1,SLP32N20C,SLD50N06T,SLF20N50S,SLF18N65S,SLD65R565SS,MSP20065G1,SLD65R380E7,SLF20N50A,SLD70R500S3,SLF20N50C,SLP150N04T,SLF2N60S,SLW60R099E7,SLF8N65C,SLM80N10G,SLP3103,SLF65R280E7,SLF7N70S,MSD06065G1,SLF8N65S,MS2H40065G1,SLF70R600S3,MSP10120G1,MSP06065G1,SLD840UZ,SLD70R360S3,SLP3205T,SLP3710T,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF730S,SLP50N06T,MS2H32065G1,SLF14N65S,SLM90N06G,MSP10065G1,SLM180N04G,MSP16065G1,SLF10N60S,MSK025120M1,SLF12N60C,SLF840C,SLF65R170E7,SLD90N02T,MSNP10065G1,MSK080120M1,SLH65R070E7,SLF16N65S,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF20N65S,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF60R280E7,SLB120N08G,SLD80N03T,SLP150N03T,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50S,SLM20L10T,SLF7N80C,SLD150N03T,SLM60N10G
DIF065SiC020碳化硅(SiC)MOSFET
描述- 本资料介绍了DIF065SIC020型号的碳化硅(SiC)MOSFET的特性,包括其静态和动态特性、热特性、尺寸和封装信息。该产品适用于电动汽车充电站、太阳能逆变器、电池充电器、电源供应等商业和工业应用。
型号- DIF065SIC020
1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用
1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率,且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时,1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后,终端应用的系统可靠性大大提升,而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。
DiW120SiC192碳化硅MOSFET
描述- 本资料主要介绍了DIW120SIC192型碳化硅(SiC)MOSFET的特性、应用领域和机械数据。该产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点,适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动器、电动工具等商业和工业领域。
型号- DIW120SIC192
瞻芯电子推出采用SOT-227封装的SiC模块产品,助力高效、大功率工业应用
近日,瞻芯电子推出了一系列采用SOT-227封装的碳化硅(SiC) MOSFET、碳化硅(SiC)二极管以及混合封装产品。采用SOT-227封装的产品具有模块体积小、热阻低、通流能力强的特点,同时,SOT-227为内绝缘封装,安装简便,也更安全。
FMG50AQ120N6 50A 1200V SiC MOSFET TO-247-4L封装(隔离式)
描述- 本资料介绍了SiC MOSFET(TO-247-4L)产品,包括其用途、特点、电气特性和应用领域。产品适用于工业变频器、UPS、电动车充电器等多种开关电源应用,具有低导通电阻、快速开关速度和低损耗等特点。
型号- FMG50AQ120N6
【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE
Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列,简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。
派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
【元件】基本半导体新品工业级全碳化硅MOSFET功率模块,更好满足客户对高功率密度需求
基本半导体开发推出了工业级全碳化硅MOSFET功率模块Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B。该系列产品采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅(Si3N4)AMB基板等技术,在比导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。
【元件】基本半导体推出工业级Pcore™2 E2B碳化硅MOSFET半桥模块BMF240R12E2G3
BMF240R12E2G3是基本半导体为更好满足工业客户对高效和高功率密度需求而开发的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半桥模块,该模块采用了Press-Fit压接工艺、带NTC温度检测以及高封装可靠性的氮化硅(Si3N4)AMB陶瓷基板等技术。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论