The New-generation P-channel SGT MOSFET from JieJie Microelectronics with Advanced PDFN Package

2023-04-14 JieJie Microelectronics News

JieJie Microelectronics hereby launches a new generation of 100V P-channel SGT MOSFET, which improves FOM performance by 20% compared with the previous generation design, having been considered world-leading. The advanced PDFN3x3-8L and PDFN5x6-8L low profile packages boast 64% and 48% smaller area and 45% and 55% lower height than traditional SOP-8L and DPAK packages, thus being ideal for compact terminal design. Moreover, the low stress and 0.275mm length of the PDFN5x6-8L pins remarkably improve the solder joint yield of automatically optically inspected PCB assembly (PCBA), further ensuring stable operation and long-term reliability of terminals.

The drive circuit of the 100V P-channel MOSFET is simpler than that of the N-channel MOSFET; hence, the former meets the constantly increasing requirements for long-term stable operation of systems, narrow application spaces, and reduced critical failure points of circuits in such applications as "high-end loads, anti-reverse connection circuits, battery reverse protection, B/BLDC motor drive, and high-side switches for DC-DC step-down conversion" in sectors of high-performance computing (HPC), Industry 5.0 (IE), and the aftermarket of automotive electronics (Autonomous Driving System, ADS). 


The performance of the new-generation P-channel JPFET® is considered to be cutting-edge all over the world, and its key electrical parameters such as RDS(ON)_Typ and FOM are superior to like products of international first-line semiconductor IDMs. JMPL1050AU is available in a thin and small PDFN3x3-8L package, and the RDS(ON)_Typ and FOM measurements of the device are as low as 38mΩ/760 when VGS=10V, thus being at the international leading level. Furthermore, the top-ranking linear model/safe operation area (SOA) feature enables devices to function in a safe and reliable manner even in the operating state of high current. The extremely low on-resistance helps improve operational efficiency, reduce system cost, and extend the service life of devices.


Fan Jun, Marketing Director of Power MOSFET at JieJie Microelectronics: "The new-generation P-channel JPFET® series, available in both plug-in and new SMD high-quality packages, is ideal for customer applications at operating voltages between 40V and 72V. In DC-DC step-down conversion with a duty cycle of less than 30%, JMPL1050AU should be one of the best choices in the industry in terms of high energy conversion efficiency, simple drive circuits, PCBA, and long-term safety and reliability. JieJie Microelectronics will continue to develop P-channel SGT MOSFETs with superior performance in a variety of voltage endurance ranges to meet the demand for power devices in new energy, high-performance computing, automotive electronics, and other terminal applications." 


The new-generation P-channel JPFET is in mass production.

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由Vicky转载自JieJie Microelectronics News,原文标题为:The new-generation P-channel JPFET with advanced PDFN package offers world-leading performance,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

平台合作

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【产品】捷捷微电新推100V P沟道SGT MOSFET,采用PDFN封装,FOM性能改善20%

捷捷微电推出新一代100V P沟道SGT MOSFET,比起上一代设计,FOM性能改善20%,实现国际领先;主要电气参数如RDS(ON)_Typ和FOM均优于国际一线半导体IDM同类产品;提供插件式和新型贴片式两类高质量封装。

2022-07-07 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

DH012N03P 256A 30V N沟道增强型功率MOSFET

本资料介绍了DH012N03P型256A 30V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET的特性。该器件采用先进的沟槽技术设计,具有低Rdson和低栅极电荷的特点,符合RoHS标准。资料涵盖了其电气特性、热特性、动态特性、开关特性、典型特性曲线、测试电路和波形等内容。

WXDH ELECTRONICS  -  N通道增强模式功率MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,DH012N03P,DHXXXNEXXF,ELECTRIC TOOLS,ELECTRIC TOOLS,POWER SWITCHING APPLICATIONS,INVERTER MANAGEMENT SYSTEM,电源开关应用,AUTOMOTIVE ELECTRONICS,汽车电子,逆变器管理系统

2020.04.15  - 数据手册  - Rev. 1.0 代理服务 技术支持 采购服务

JMSH0606PG 60V,114A,4.5mΩN沟道功率SGT MOSFET

本资料详细介绍了JMSH0606PG型号的60V、114A、4.5mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数、应用领域等。该产品具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。

捷捷微电  -  N沟道功率SGT MOSFET,N-CHANNEL POWER SGT MOSFET,JMSH0606PG,JMSH0606PG-13,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关

2024/11/11  - 数据手册  - Rev.1.1 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

JMPL1050AY-100V 40mΩP沟道功率MOSFET

本资料介绍了JMPL1050AY型号的P-Ch Power MOSFET产品。该器件具有低导通电阻、优异的门极电荷与导通电阻乘积(FOM)等特点,适用于电池管理、电信和工业直流/直流转换器、硬开关和高速电路等领域。

捷捷微电  -  P沟道功率MOSFET,P-CH POWER MOSFET,JMPL1050AY,JMPL1050AY-13,硬开关,电信,INDUCTRIAL,引产,BATTERY MANAGEMENT,TELECOMS,电池管理,HIGH SPEED CIRCUIT,高速电路,HARD SWITCHING

2023/3/15  - 数据手册  - Rev. 1.1 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

JMSH0602PGQ 60V,179A,1.6mΩN沟道功率SGT MOSFET

本资料介绍了一种60V、179A、1.6mΩ N-channel Power SGT MOSFET,型号为JMSH0602PGQ。该产品具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和ΔVds测试等特点,适用于负载开关、PWM应用和通用汽车应用。

捷捷微电  -  N沟道功率SGT MOSFET,N-CHANNEL POWER SGT MOSFET,JMSH0602PGQ-13,JMSH0602PGQ,PWM应用,通用汽车,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关,GENERAL AUTOMTOIVE

2024/11/4  - 数据手册  - Rev.1.2 代理服务 技术支持 采购服务

JMSH1509PG 150V,88A,9.1mΩN沟道功率SGT MOSFET

本资料介绍了JMSH1509PG型号的150V、88A、9.1mΩ N-channel Power SGT MOSFET。该产品具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。

捷捷微电  -  N沟道功率SGT MOSFET,N-CHANNEL POWER SGT MOSFET,JMSH1509PG-13,JMSH1509PG,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关

2024/11/6  - 数据手册  - Rev.1.4 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

JMSL04055UQ 40V,62A,5.1mΩN沟道功率SGT MOSFET

本资料介绍了JMSL04055UQ型号的40V, 62A, 5.1mΩ N-channel Power SGT MOSFET。该产品具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和ΔVds测试等特点,适用于负载开关、PWM应用和通用汽车应用。

捷捷微电  -  N沟道功率SGT MOSFET,N-CHANNEL POWER SGT MOSFET,JMSL04055UQ-13,JMSL04055UQ,PWM应用,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关,GENERAL AUTOMTOIVE APPLICATION,通用自动化应用程序

2024/5/27  - 数据手册  - REV 1.0 代理服务 技术支持 采购服务

JMSH0406PGQ 40V,106A,4.1mΩN沟道功率SGT MOSFET

该资料详细介绍了JMSH0406PGQ型号的40V、106A、4.1mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数和应用领域。资料涵盖了产品的电气特性、热特性、开关特性、典型性能曲线、封装尺寸等详细信息。

捷捷微电  -  N沟道功率SGT MOSFET,N-CHANNEL POWER SGT MOSFET,JMSH0406PGQ-13,JMSH0406PGQ,PWM应用,通用汽车,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关,GENERAL AUTOMTOIVE

2024/5/21  - 数据手册  - REV 1.1 代理服务 技术支持 采购服务

JMSL06120UQ 60V,42A,10.9mΩN沟道功率SGT MOSFET

该资料详细介绍了JMSL06120UQ型号的60V、42A、10.9mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数和应用领域。产品具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和ΔVds测试等特点,适用于负载开关、PWM应用和通用汽车应用。

捷捷微电  -  N沟道功率SGT MOSFET,N-CHANNEL POWER SGT MOSFET,JMSL06120UQ-13,JMSL06120UQ,PWM应用,通用汽车,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关,GENERAL AUTOMTOIVE

2024/11/4  - 数据手册  - Rev.1.1 代理服务 技术支持 采购服务

JMTK1404A 40V、190A、3.1mΩN沟道功率Trench MOSFET

本资料介绍了JMTK1404A型40V、190A、3.1mΩ N-channel Power Trench MOSFET的特性、参数和应用领域。该器件具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等。

捷捷微电  -  N沟道功率沟槽MOSFET,N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET,JMTK1404A,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,脉宽调制,PWM,负载开关

2024/4/22  - 数据手册  - REV 1.0 代理服务 技术支持 采购服务

DH045N04P 80A 40V N沟道增强型功率MOSFET

该资料详细介绍了DH045N04P型N沟道增强型功率MOSFET的特性、电气参数和应用领域。产品采用先进的槽栅技术设计,具有低导通电阻和低栅极电荷等特点,适用于电源开关应用、逆变器管理系统、电动工具和汽车电子等领域。

WXDH ELECTRONICS  -  N通道增强模式功率MOSFET,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET,DH045N04P,DHXXXNEXXF,ELECTRIC TOOLS,ELECTRIC TOOLS,POWER SWITCHING APPLICATIONS,INVERTER MANAGEMENT SYSTEM,电源开关应用,AUTOMOTIVE ELECTRONICS,汽车电子,逆变器管理系统

2020.10.12  - 数据手册  - Rev. 1.0 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

JMSH0803PC 80V,202A,2.4mΩN沟道功率SGT MOSFET

本资料详细介绍了JMSH0803PC型号的80V、202A、2.4mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数和应用领域。该器件具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。

捷捷微电  -  N沟道功率SGT MOSFET,N-CHANNEL POWER SGT MOSFET,JMSH0803PC,JMSH0803PC-U,PWM应用,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,PWM APPLICATION,负载开关

2024/10/23  - 数据手册  - REV 1.0 代理服务 技术支持 采购服务

JMPL1050AU-100V 38mΩP沟道功率MOSFET

本资料介绍了JMPL1050AU型号的P-Ch Power MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有低导通电阻、优异的门极电荷与导通电阻乘积(FOM)、无铅镀层、符合RoHS和卤素免费标准等特点。适用于电池管理、电信和工业直流/直流转换器、硬开关和高速电路等领域。

捷捷微电  -  P沟道功率MOSFET,P-CH POWER MOSFET,JMPL1050AU-13,JMPL1050AU,HARD SWITCHING CIRCUIT,电信,INDUCTRIAL,引产,BATTERY MANAGEMENT,TELECOMS,电池管理,HIGH SPEED CIRCUIT,高速电路,硬开关电路

2022/12/27  - 数据手册  - Rev. 1.2 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

JMPL1050AP-100V 39mΩP沟道功率MOSFET

本资料介绍了JMPL1050AP型号的P-Ch Power MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有低导通电阻、优异的门极电荷与导通电阻乘积(FOM)、无铅镀层、符合RoHS和卤素免费标准等特点。适用于电池管理、电信和工业直流/直流转换器、硬开关和高速电路等领域。

捷捷微电  -  P沟道功率MOSFET,P-CH POWER MOSFET,JMPL1050AP-13,JMPL1050AP,HARD SWITCHING CIRCUIT,电信,INDUCTRIAL,引产,BATTERY MANAGEMENT,TELECOMS,电池管理,HIGH SPEED CIRCUIT,高速电路,硬开关电路

2022/5/29  - 数据手册  - Rev. 1.0 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:¥1.5942

现货: 0

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:¥1.3648

现货: 0

品牌:捷捷微电

品类:N-Channel MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:¥0.0330

现货: 0

品牌:捷捷微电

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:格瑞宝电子

品类:N-Channel MOSFET

价格:¥0.0917

现货: 4,515,560

品牌:格瑞宝电子

品类:N-Channel MOSFET

价格:¥0.0904

现货: 3,651,000

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:NCE

品类:MOSFET

价格:¥1.0100

现货:55,183

品牌:UTC

品类:Power MOSFET

价格:¥0.6400

现货:7,500

品牌:NCE

品类:MOSFET

价格:¥1.2900

现货:6,686

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:¥1.6800

现货:3,082

品牌:福斯特半导体

品类:MOS

价格:¥1.4550

现货:100

品牌:福斯特半导体

品类:MOS

价格:¥0.6300

现货:100

品牌:福斯特半导体

品类:MOS

价格:¥1.8600

现货:100

品牌:福斯特半导体

品类:MOS

价格:¥0.6300

现货:100

品牌:福斯特半导体

品类:MOS

价格:¥0.9750

现货:100

品牌:福斯特半导体

品类:MOS

价格:¥0.8100

现货:90

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面