【选型】驱动单管IGBT快速关断电路的肖特基二极管选型推荐SKL34,40V反向耐压, 3A正向平均电流

2019-09-28 Diotec
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在IGBT、SI MOS、SIC MOS管驱动电路设计过程中,为了达到快速关断管子的目的,通常将驱动开通电路与关断电路分开;如下图所示驱动电路设计,R2<R1,当需要打开管子Q1时,因为加了反向D1二极管,驱动电压只能经过R1到达Q1;而当关断时,驱动芯片内部需要下拉到地,将管子Q1门极电荷泄放,这时电流回路变为先经过D1再经过R2,最后经驱动芯片下拉到地;因为R2<R1,所以管子的关断时间将会小于开通时间,这样的一个开通、关断设计,可达到快速关断管子的目的,将极大降低关断损耗,降低管子温升,延长管子使用寿命。


一般单管IGBT、MOS管栅极驱动电压为15V,这里D1(或D2)的选用需要满足以下几点:

1、反向耐压需要大于驱动电压15V;

2、正向压降需要低,响应速度要快;

3、正向峰值电流大于2A。


这里推荐使用DIOTEC(德欧泰克)的肖特基二极管SKL34可满足以上需求,具体参数如下:

1、 SOD-123FL封装,封装体积小,占用驱动回路面积少;

2、 反向耐压40V,反向漏电流典型值为30µA;

3、 肖特基二极管,响应速度快,低正向压降,Tj=25℃、IF=3A的标准下SKL34、SKL34-Q(车规级)正向电压<0.50V

4、 3A正向平均电流;其工作结温范围、存储温度范围为-50℃~150℃。


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品类:小信号肖特基二极管

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品牌:HBRIGHT

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品牌:扬杰科技

品类:肖特基二极管

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