【选型】驱动单管IGBT快速关断电路的肖特基二极管选型推荐SKL34，40V反向耐压， 3A正向平均电流

时间： 2019-09-28 来源：Diotec

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在IGBT、SI MOS、SIC MOS管驱动电路设计过程中，为了达到快速关断管子的目的，通常将驱动开通电路与关断电路分开；如下图所示驱动电路设计，R2<R1，当需要打开管子Q1时，因为加了反向D1二极管，驱动电压只能经过R1到达Q1；而当关断时，驱动芯片内部需要下拉到地，将管子Q1门极电荷泄放，这时电流回路变为先经过D1再经过R2，最后经驱动芯片下拉到地；因为R2<R1，所以管子的关断时间将会小于开通时间，这样的一个开通、关断设计，可达到快速关断管子的目的，将极大降低关断损耗，降低管子温升，延长管子使用寿命。

一般单管IGBT、MOS管栅极驱动电压为15V，这里D1（或D2）的选用需要满足以下几点：

1、反向耐压需要大于驱动电压15V；

2、正向压降需要低，响应速度要快；

3、正向峰值电流大于2A。

这里推荐使用DIOTEC（德欧泰克）的肖特基二极管 SKL34可满足以上需求，具体参数如下：

1、 SOD-123FL封装，封装体积小，占用驱动回路面积少；

2、反向耐压40V，反向漏电流典型值为30µA；

3、肖特基二极管，响应速度快，低正向压降，Tj=25℃、IF=3A的标准下SKL34、SKL34-Q（车规级）正向电压<0.50V

4、 3A正向平均电流；其工作结温范围、存储温度范围为-50℃~150℃。

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