【产品】硅4线单向瞬态电压抑制器CPZ39R-CMNTVS5V0,电快速瞬变高达40A

2018-11-18 Central
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Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商,Central推出的CPZ39R-CMNTVS5V0是一款硅,4线单向瞬态电压抑制器,可以对电路中的核心芯片进行保护,使敏感设备免受ESD损坏,主要应用于用户接口瞬态保护、电话线路保护、电压钳位等领域。


在工作环境为25℃的条件下,CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器峰值功耗(8x20μs)的最大额定值为25W,电快速瞬变(IEC 61000-4-4) (5x50ns)测试电流最大额定值为40A。其ESD电压在IEC 61000-4-2,气隙放电以及IEC 61000-4-2,接触放电的条件下最大额定值均为15kV。CPZ39R-CMNTVS5V0工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃,能够适应较为恶劣的工业环境,满足大部分环境上的需求,保证器件稳定性。


在工作环境为25℃的条件下,CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器最大反向隔离电压VRWM为5.0V,其反向击穿电压VBR在输入电流为1.0mA的条件下,最小值、正常值、最大值分别为6.0V,7.1V,8.0V。CPZ39R-CMNTVS5V0反向漏电流IR在最大反向隔离电压下,典型值为5.0nA,最大值为250nA,漏电流所造成的危害较小,从而能够较好地保护芯片不受损坏。CPZ39R-CMNTVS5V0最大钳位电压(8x20μs)VC为12.5V,典型动态电阻RDYN 为1.45Ω结电容典型值为5.5pF。

 

图1 CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器产品示意图

图2 CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器典型电气特性图

CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器机械参数

·裸片尺寸11x11MILS

·裸片厚度3.9MILS

·阴极焊盘尺寸(x4) 单个直径3.5MILS

·晶圆直径4英寸

CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器的突出特点与优势

·单向瞬态电压抑制器峰值功耗PPK(8x20μs)为25W

·电快速瞬变EFT(IEC 61000-4-4) (5x50ns)最高为40A

·ESD电压VESD(IEC 61000-4-2,Air)以及(IEC 61000-4-2,Contact)最高均为15kV

·工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃

·最大反向隔离电压VRWM为5.0V

·反向击穿电压VBR最小值、正常值、最大值分别为6.0V,7.1V,8.0V

·反向漏电流IR在最大反向隔离电压下,典型值为5.0nA,最大值为250nA

·结电容CJ典型值为5.5pF(偏置电压3.3V)

·最大钳位电压(8x20μs)VC为12.5V

·动态电阻典型值RDYN为1.45Ω(Z0=50Ω,tp=100ns)

CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器主要运用领域

·用户接口瞬态保护

·电压钳位

·电话线路保护


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