【产品】硅4线单向瞬态电压抑制器CPZ39R-CMNTVS5V0,电快速瞬变高达40A
Central Semiconductor(美国中央半导体公司,简称Central)公司是世界顶级分立半导体制造商,Central推出的CPZ39R-CMNTVS5V0是一款硅,4线单向瞬态电压抑制器,可以对电路中的核心芯片进行保护,使敏感设备免受ESD损坏,主要应用于用户接口瞬态保护、电话线路保护、电压钳位等领域。
在工作环境为25℃的条件下,CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器峰值功耗(8x20μs)的最大额定值为25W,电快速瞬变(IEC 61000-4-4) (5x50ns)测试电流最大额定值为40A。其ESD电压在IEC 61000-4-2,气隙放电以及IEC 61000-4-2,接触放电的条件下最大额定值均为15kV。CPZ39R-CMNTVS5V0的工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃,能够适应较为恶劣的工业环境,满足大部分环境上的需求,保证器件稳定性。
在工作环境为25℃的条件下,CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器的最大反向隔离电压VRWM为5.0V,其反向击穿电压VBR在输入电流为1.0mA的条件下,最小值、正常值、最大值分别为6.0V,7.1V,8.0V。CPZ39R-CMNTVS5V0的反向漏电流IR在最大反向隔离电压下,典型值为5.0nA,最大值为250nA,漏电流所造成的危害较小,从而能够较好地保护芯片不受损坏。CPZ39R-CMNTVS5V0的最大钳位电压(8x20μs)VC为12.5V,典型动态电阻RDYN 为1.45Ω,结电容典型值为5.5pF。
图1 CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器产品示意图
图2 CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器典型电气特性图
CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器机械参数
·裸片尺寸11x11MILS
·裸片厚度3.9MILS
·阴极焊盘尺寸(x4) 单个直径3.5MILS
·晶圆直径4英寸
CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器的突出特点与优势
·单向瞬态电压抑制器峰值功耗PPK(8x20μs)为25W
·电快速瞬变EFT(IEC 61000-4-4) (5x50ns)最高为40A
·ESD电压VESD(IEC 61000-4-2,Air)以及(IEC 61000-4-2,Contact)最高均为15kV
·工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃
·最大反向隔离电压VRWM为5.0V
·反向击穿电压VBR最小值、正常值、最大值分别为6.0V,7.1V,8.0V
·反向漏电流IR在最大反向隔离电压下,典型值为5.0nA,最大值为250nA
·结电容CJ典型值为5.5pF(偏置电压3.3V)
·最大钳位电压(8x20μs)VC为12.5V
·动态电阻典型值RDYN为1.45Ω(Z0=50Ω,tp=100ns)
CPZ39R-CMNTVS5V0单向瞬态电压抑制器主要运用领域
·用户接口瞬态保护
·电压钳位
·电话线路保护
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电子商城
品牌:Central Semiconductor
品类:SURFACE MOUNT SILICON BI-DIRECTIONAL GLASS PASSIVATED JUNCTION TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSORS
价格:¥37.1205
现货: 200
品牌:Central Semiconductor
品类:Transient Voltage Suppressor
价格:¥1.3363
现货: 200
品牌:Central Semiconductor
品类:Transient Voltage Suppressor
价格:¥1.1136
现货: 200
品牌:Central Semiconductor
品类:Surface mount Transient Voltage Suppressor
价格:
现货: 20
现货市场
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提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
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